IC设计流程(转自USTC )
2,实现方法; IC从生产目的上可以分成为通用IC(如CPU,DRAM,接口芯片等)和ASIC(Application Specific Integreted Circuit)两种,ASIC是因应专门用途而生产的IC。
从结构可以分成数字IC,模拟IC,数模混合IC三种,而SOC(system on chip)则成为发展的方向。 从实现方式上讲可以分为三种。基于晶体管级,所有器件和互连版图都采用人工的称为全定制(full-custom)设计,这种方法比较适合于大批量生产的,要求集成度高、速度快、面积小、功耗低的通用型IC或是ASIC。基于门阵(Gate-Array)和标准单元(Standard-Cell)的半定制设计(Semi-custom)由于其成本低、周期短、芯片利用率低而适合于批量小、要求推出速度快的芯片 。基于IC生产厂家已经封装好的PLD(Programmable Logical Design)芯片的设计,因为其易用性、“可重写性”受到对集成电路工艺不太了解的系统集成用户的欢迎。他的最大特点就是只须懂得硬件描述语言就可以使用特殊EDA工具“写入”芯片功能。但PLD集成度低、速度慢、芯片利用率低的缺点使他只适合新产品的试制和小批量生产。近年来PLD中发展最活跃的当属FPGA(Field Programmable Gate Array)器件.
从采用的工艺可以分成双极型(bipolar),MOS和其他的特殊工艺。硅(Si)基半导体工艺中的双极型器件由于功耗大、集成度相对低,在近年随亚微米深亚微米工艺的的迅速发展,在速度上对MOS管已不具优势,因而很快被集成度高,功耗低、抗干扰能力强的MOS管所替代。MOS又可分为NMOS、PMOS和CMOS三种;其中CMOS工艺发展已经十分成熟,占据IC市场的绝大部分份额。AsGa器件因为其在高频领域(可以在0.35um下很轻松作到10GHz)如微波IC中的广泛应用,其特殊的工艺也得到了深入研究。而应用于视频采集领域的CCD传感器虽然也使用IC一样的平面工艺,但其实现和标准半导体工艺有很大不同。
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