Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。
1. 性能比较
Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作十分简单;而NOR则要求在进行擦除前,先要将目标块内所有的位都写为0。擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为1～5s;擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时,块尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。统计表明,对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时）,更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。因此,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
*NOR的读取速度比NAND稍快一些。
*NAND的写入速度比NOR快很多。
*NAND的擦除速度远比NOR快。
*大多数写入操作需要先进行擦除操作。
*NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
2. 接口差别
NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容的每一字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。
3. 容量和成本
NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR Flash占据了大部分容量为1～16MB的内存市场,而NAND Flash只是用在8～128MB的产品当中。
4. 可靠性和耐用性
采用Flash介质时,一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
（1）寿命（耐用性）
在NAND闪存中,每个块的最大擦写次数是100万次,而NOR的擦写次数是10万次。NAND存储器除了具有10：1的块擦除周期优势外,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8位,每个NAND存储器块在给定时间闪的删除次数要少一些。
（2）位交换
所有Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见,NAND发生的次数要比NOR多）,一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障就可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决。
位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
（3）坏块处理
NAND器件中的不坏块是随机分布的。以前做过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理。将导致高故障率。
5. 易用性
可以非常直接地使用基于NOR的闪存,像其它存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
6. 软件支持
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是闪存技术驱动程序（MTD）。NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时,所需要的MTD要相对少一些。许多厂商都提供用于NOR器件的更高级的软件,其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Sotrware System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿零点和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
目前,NOR Flash的容量从几KB～64MB不等,NAND Flash存储芯片的容量从8MB～128MB,而DiskonChip可以达到1024MB。
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