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MOS管+运放组成的恒流源问题，请高手指点

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楼主
libingliehuo|  楼主 | 2019-5-14 18:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 运放, 恒流源, 电流, 电路
本帖最后由 libingliehuo 于 2019-5-14 18:20 编辑


如上图，调节电位器， 使得V1处流过的电流为10A，稳定后，电流便慢慢下降了，本来是要做个恒流电路的，结果变成不恒流了，请大家指导一下有什么方法能让电流稳定在10A么，R5用的是锰铜丝（多个并联），流过电流的时候没什么发热。为什么基准很稳，电路变成不恒流了？

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沙发
zyj9490| | 2019-5-14 19:10 | 只看该作者
D极电位要大于G极电位即可。

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板凳
tyw| | 2019-5-14 19:31 | 只看该作者
〓◆ 恒流源及其应用电路 561页 8.7M pdf+书签 ◆〓,新版三发

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地板
wuyouyao123| | 2019-5-15 16:51 | 只看该作者
我仿真了一下，应该是R4 0.1Ω的功率不够，仿真的时候烧断了，你点开电阻，设置参数，试试把功率改大

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5楼
libingliehuo|  楼主 | 2019-5-15 18:53 | 只看该作者
wuyouyao123 发表于 2019-5-15 16:51
我仿真了一下，应该是R4 0.1Ω的功率不够，仿真的时候烧断了，你点开电阻，设置参数，试试把功率改大 ...

用的是 黄金壳电阻 100W的（实际功率才10W）， 主要是电流慢慢的变小 ，采样那微微热，怎么就不恒流

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6楼
QuakeGod| | 2019-5-15 20:59 | 只看该作者
采样电阻发热，电流肯定会慢慢下降，问题是下降多少啊？
你是想稳定在多少算稳定？9.9行不行？还是非要10.000A?

另外，你那个393也不是运放啊，是比较器。
还有，你那个R6为啥用10K呢？你的R1才用的2K，没道理越到后面电阻越大。

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7楼
wuyouyao123| | 2019-5-16 17:33 | 只看该作者
libingliehuo 发表于 2019-5-15 18:53
用的是 黄金壳电阻 100W的（实际功率才10W）， 主要是电流慢慢的变小 ，采样那微微热，怎么就不恒流 ...

我按照你的电路图来仿真，没有问题哦

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8楼
45575| | 2019-6-17 19:00 | 只看该作者
不知道问题解决没有？提供一下思路
mos温度升高会导致电流变小， 而且你这个电流还很大。节温肯定升高不少。
实际需要考虑mos的温飘。。。把mos扇热片加大或者加风扇吹   看看电流是不是会涨起来

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9楼
QWE4562009| | 2019-6-19 08:54 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2019-5-14 19:10
D极电位要大于G极电位即可。

剖析下 啊 大师

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10楼
xurexi| | 2019-6-19 09:32 | 只看该作者
8楼说的对！MOS发热量是电流的平方，摸MOS管温度！

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11楼
zyj9490| | 2019-6-19 12:06 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-6-19 08:54
剖析下 啊 大师

电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。

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zyj9490 2019-6-19 15:31 回复TA
@wh6ic ,,MOS的线性放大，三态的也不知道。看谁胡扯了， 
zyj9490 2019-6-19 15:14 回复TA
@wh6ic ,看下MOS的ID----VDS的三态图。 
wh6ic 2019-6-19 14:09 回复TA
胡扯 
12楼
QWE4562009| | 2019-6-19 14:01 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2019-6-19 12:06
电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。

MOS也有饱和的说法吗？ MOS不是没有电流放大作用吗

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13楼
QWE4562009| | 2019-6-19 14:05 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2019-6-19 12:06
电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。

1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ，这是什么原因

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14楼
zyj9490| | 2019-6-19 15:11 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:01
MOS也有饱和的说法吗？ MOS不是没有电流放大作用吗

MOS的包和跟BJT的包和有不同的概念，MOS的包和指的是ID不随VDS变化，只跟VGS有关，欠包和时，ID即跟VGS有关，也跟VDS有关。

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15楼
zyj9490| | 2019-6-19 15:12 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:01
MOS也有饱和的说法吗？ MOS不是没有电流放大作用吗

回锅看下MOS的ID--VDS的图片，分几个状态。

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16楼
zyj9490| | 2019-6-19 15:20 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:05
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自 ...

现在谈的是线性恒流控制，必须让MOS管进入包和状态，此时ID电流不随VDS控制，只随VGS控制。

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17楼
zyj9490| | 2019-6-19 15:22 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-6-19 14:05
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自 ...

自举的电路目的，随VS电位提高而VG提高，保VGS一个开启的差值。

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18楼
zyj9490| | 2019-6-19 15:38 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-6-19 08:54
剖析下 啊 大师

此电路无法稳流的就是MOS没有进入包和状态，(中间态，看基础书),实际上，只要取样电阻随温度不变化，MOS管在线性正常态，都能恒流的。因为进入大环路的负反馈。VTH太高，导致V1太小。

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19楼
zyj9490| | 2019-6-19 15:51 | 只看该作者
普及利用MOS做恒流电路的基本电路要求，要让MOS管处在包和区（态），如NMOS管，DG区产生平夹断点，即VD>VS,才会产生。

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20楼
wh6ic| | 2019-6-19 15:53 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2019-6-19 12:06
电路中是NMOS,当然D极电位大于G极才能让器件进入包和状态。



1、上图是某 NMOS 的VDS vs Id， 图片上 Vds 低于 Vgs 就饱和了。
2、线性恒流源 7136 内部集成 MOS 恒流，对地压差可以低于50mV。

线性恒流，没有 必须 晶体管饱和。

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