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存储芯片K4B4G1646E-BCMA

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xunavc|  楼主 | 2019-5-17 15:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用16片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(66MHz)。第11位——连线“-”。
  进口原装K4B4G1646E-BCMA www.dzsc.com/ic-detail/9_5768.html的特点
  对生物芯片研究人员来说,终的研究目标是对分析的全过程实现全集成,即制造微型全分析系统或缩微芯片实验室。在芯片的功能集成方面,已有了一批成果.科学家们通过利用在芯片上制作出的加热器、阀门、泵、微量分析器、电化学或光电子学等,将样品制备、化学反应和检测3部分作了部分集成,并在此基础上先后制作出了结构不同的缩微芯片实验室样机.例如,科学家采用生物电子芯片在较短时间内先通过施加高频交流电场把微生物从人的血样中分离出来,然后用电脉冲进行破胞处理,后对破胞后所得的脱氧核糖核酸进行片段化和杂交检测。该实验的成功是生物芯片研究领域的一大突破,它向人们展示了用生物芯片制作缩微实验室的可能性.
  不过IC制程工艺未来有一个发展方向是实用的并且已经在闪存行业应用了:那就是向多层发展,3D堆叠。目前三星已经量产64层堆叠的NANDFlash芯片,正在开发96层堆叠的技术,中国紫光刚刚量产32层堆叠的NANDFlash芯片,64层的计划到2019年才能量产。而除了闪存芯片之外的CPU类IC,目前都是平面的一层,未来肯定会向多层发展,能够成多倍地提高IC的集成度。这种技术也是中国企业需要突破的。
  银芯一号和银芯二号均采用了全自主研发的自动化测试系统,实现了以智能化操作替代传统的人工操作。所不同的是,银芯一号主要针对的是闪存的存储颗粒,而银芯二号则主要针对固态硬盘的存储颗粒。国产存储领域实现新突破芯片组的识别也非常容易,以Intel440BX芯片组为例,它的北桥芯片是Intel82443BX芯片,通常在主板上靠近CPU插槽的位置,由于芯片的发热量较高,在这块芯片上装有散热片。南桥芯片在靠近ISA和PCI槽的位置,芯片的名称为Intel82371EB。其他芯片组的排列位置基本相同。对于不同的芯片组,在性能上的表现也存在差距。方式和ACPI(能源管理)等的支持。其中北桥芯片起着主导性的作用,也称为主桥(HostBridge)。主板芯片的功能及工作原理每块CPU将被进行完全测试,以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行,所以被标上了较高的频率;而有些CPU因为种种原因运行频率较低,所以被标上了较低的频率。后,个别CPU可能存在某些功能上的,如果问题出在缓存上,制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存,这意味着这块CPU依然能够出售,只是它可能是Celeron等低端产品。
  IC由很多重叠的层组成,每层由图像技术定义,通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层(成为扩散层),一些定义哪里额外的离子灌输(灌输层),一些定义导体(多晶硅或金属层),一些定义传导层之间的连接(过孔或接触层)。所有的组件由这些层的特定组合构成。
  这样的数字背后,兴奋的当然是韩国企业,尤其是三星电子,毕竟它是DRAM内存、NAND闪存两大行业的双料老大,占据份额分别有45%、37%之多,SK海力士则分别占28%、10%。


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