图1如图1，在class-D amplifier 的输出级长采用推挽输出。为了减少由于上管MOS的体二极管的反向恢复过程，而带来的高频振荡冲击， 常在下管MOS的漏源极之间加入RC吸收电路 在一篇设计RC吸收电路的资料中，看到了这样的方法
其理念是先计算出下管MOS的寄生电容Coss和寄生电感Lp（Lp的大小未有说明是哪些电感之和）的大小
然后再计算出RC电路中的电阻、电容值。
具体如下
【1】首先计算出寄生电感电容的谐振频率f0，如图2
图2
【2】再在图1下管MOS的漏源极之间接一个外接电容Cext（图中未画出）
由此再计算出一个谐振频率f1。根据图3中的公式，计算出寄生电容Coss。
图3
【3】由于Coss计算出来了，根据图2的公式反推出寄生电感Lp。
【4】由图4所示，根据寄生电容、电感计算出阻尼因数（damping factor），且根据阻尼因数取1时为最佳来计算Rsn，即RC吸收电路中的电阻值。
图4
【5】最后，根据经验值，采用寄生电容Coss的三倍的容值，为RC吸收电路的电容。
图5
文档的最后结论处说明了，此电路依靠了很多实际经验来设计。
但是如何测试出寄生电感电容的谐振频率f0
而且外接的电容Cext的大小是任意选择吗？同样如何测试出外接电容后的谐振频率f1？
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