三极管的简称就是晶体三极管，有的叫晶体管、也有的叫半导体三极管，各有各的叫法。三极管是电子电路的重要元器件之一，它的制作过程采用光刻、扩散等工艺在同一块半导体，比如硅片或者锗片上通过参杂形成三个区两个PN结，然后引出三个电极（管脚）。由两个N区夹P区的三极管为NPN型三极管，由两个P区夹N区得的三极管为PNP型三极管。
极管的工作原理
假设拿个好的三极管，那么就要创造外部条件来满足三极管的工作。比如是NPN型三极管如上图，此时需要在NPN型三极管的发射结加正向电压，在集电结加反向电压。此时，有Ube＞0、Ubc＜0，那么只要用Ubb和Ucc电源来实现偏置就行。因为三极管只要基极有微小电流变化，集电极就会有β.Ib的电流变化，即Ic＝βIb。因此，集电极输出的电信号是远大于基极的输入电信号。这里讨论的只是三极管放大交流电信号的外部条件。
三极管内部载流子运动过程，发射区的电子向基区运动。
由上述提到发射接结加正向电压，
电子的扩散运动增强而且是有序的扩散。于是发射区的自由电子就不断的越过发射结这道墙进入基区。因此，形成了发射区电流IEN。发射区的电子跑到基区，发射区电子变少怎么办？此时电源UBB就给发射区补充电子，得到电流IE。但是扩散不仅仅只是发射区的电子跑到基区，同时也有基区的空穴也会越过发射结这道墙跑到发射区，形成电流IEP。这里因为基区参杂浓度实在低，基区的空穴实在太少，因此IEP的电流被忽略掉，即有IE＝IEN。又因为上面提到基区参杂浓度低，基区确实很薄，那么发射区的电子越过发射结跑到基区，由于基区空穴太少，一部分跟基区的空穴复合，一部分又越过集电结跑到集电区。同时UBB又会不断的向基区补充空穴，就有复合电流IBN。也是因为基区参杂浓度低，因此复合电子很少，那么IBN是很小的，几乎忽略。
由此说来，发射区的大部分电子最终都赖在集电区了。由于集电区的集电结加的是反向电压，有利于少数非平衡的自由电子做漂移运动。此时，基区跑到集电结非平衡的少数电子就在电场力的作用下，几乎越过集电结这道墙漂移至集电区形成集电极电流ICN。同时，由于集电区少数的空穴和基区的少数电子也要向对方做漂移运动，那么形成反向饱和电流ICBO。由于ICBO小的可怜，几乎忽略掉。最终根据共发射极NPN型三极管内部的运动分析得知，IE＝IB+IC。
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