GD32F150C8，深度睡眠电流2.5ma?

发表于 2019-5-28 15:41

本帖最后由 jcdzxh 于 2019-5-28 16:09 编辑

改动一个寄存器位，变成休眠模式，电流立马小到10ua级别
查了一天，看不出程序有问题。

发表于 2019-5-28 17:41

官方标称数据是多少？进入方式是什么？

实测数据是多少？进入方式是否有遗漏？ IO和其它外设是否有漏电？

发表于 2019-5-29 08:20

单独测试用PB2上升沿激活，没有其它设置
实验结果是翻灯正常，就是电流2ma多点点，
拨除电路所有连接，LDO后面割断PCB串电流表
如果PMU_CTL写7，总电流10ua,进休眠正常
寄存器：2017-06-19, V3.1.0, firmware update for GD32F1x0(x=3,5,7,9)
编译器:MDK 4.73

中断.jpg

发表于 2019-5-29 08:42

休眠能到10UA，证明电路无问题，这时是狗咬醒
RAM运行测试，
空跑while (1) 3.5ma
单用WFI 3.1ma
sleepdeep=1 PMU_CTL=1 WFI 2.3ma
sleepdeep=1 PMU_CTL=7 WFI 10ua
----------------------------------
也试过烧到核心板跑，变化不大
试过在030F4上相同操作，电流与手册差别不大

发表于 2019-6-12 14:08

外部引脚都设置了吗

GD32F150C8，深度睡眠电流2.5ma?

相关帖子

浏览过的版块

突出贡献奖章

沉静之湖泊

十世金身

技术导师奖章