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不注意的后果就是容易放**

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楼主
xh0821|  楼主 | 2009-3-1 12:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MCU, TRIAC, 触发, 电路, 触发电路
如图，
请问触发延迟时间T1和输出低电平持续时间T2应该怎么定呢？
请问图1和图2都能可靠的触发TRIAC吗？
图1的触发电路好还是图2的触发电路好？
 
 

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沙发
awey| | 2009-3-1 14:04 | 只看该作者

两个都不好

图2 的R2与C2串联，并将阻止减小
T2的大小要看你的最大导通角来定。

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板凳
xh0821|  楼主 | 2009-3-1 16:00 | 只看该作者

Re:away

1：补充一点，VCC=10V
2：图2的R2与C2串联，在MCU输出变为低电平瞬间，电容的另一端的极板瞬间
   出现-10V的反向电压，瞬间电流I=-10V/1K=10ma，经T=RC=1K*0.1uF=0.1mS
   放电后恢复为0电平，这样驱动一个触发电流为5mA的TRIAC有什么问题吗？
3：图1的TRIAC的G极与0.1uF电容之间没有接入电阻，T=R（MT1-G）*0.1uF时
   间太小，而不能可靠触发TRIAC呢？
4：T2的大小要看你的最大导通角来定。
   这点AWAY你会不会弄错了 ：）
   最大导通角应该是由T1（检测到交流电过零后延迟控制输出时间）决定吧？
5：为什么两个电路都不好？不好在哪里？

问题好像有点多，希望前辈们能耐心的替我解答
 ：）

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地板
awey| | 2009-3-1 16:11 | 只看该作者

哪知道你的MCU能输出10V的？

两个图都有：当输出从低到高时，输出直接通过电容和二极管（或触发脚）到地的情况，无限流电阻，电流比较大，对MCU输出口的电流冲击较大。图1在输出由高到低时，同样存在这种情况。

正弦半波时间是10mS，如果T1是9mS，那么T2就不能大于1mS，不然可能会触发下一个半波导通。

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5楼
xh0821|  楼主 | 2009-3-1 17:01 | 只看该作者

RE：away

呵呵
那么如果在我这个MCU远远能承受这个峰值输出/灌入电流情况下，图2这个触发电路触发一个触发电流为5mA的TRIAC
能可靠触发了吧？

这种触发电路控制的TRIAC是不是工作在2，3象限呢？

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6楼
awey| | 2009-3-1 17:44 | 只看该作者

双向可控硅是电流型触发器件

不同功率的可控硅触发电流不一样，实际设计时，触发电流要留一定的余量（我一般取2倍以上）

不同象限的，触发灵敏度也不一样，电路中的可控硅是工作在2、3象限。

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7楼
xh0821|  楼主 | 2009-3-1 17:52 | 只看该作者

Re:away

看不出图1的10K电阻有什么作用
能不能帮我分析下图1和图2这两个触发电路各有什么优缺点？

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8楼
chunyang| | 2009-3-1 20:20 | 只看该作者

设计的非常不合理

    可控硅是电流驱动型器件，不要用电容隔离驱动，用电阻限流后直接驱动即可，但仍然需要足够的驱动电流，该参数可从可控硅手册上获得。此外，双向可控硅的触发象限也要讲究，还要考虑感性负载的应对。

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9楼
xh0821|  楼主 | 2009-3-1 22:09 | 只看该作者

RE：chunyang

那如果采用下图的供电方式呢？

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10楼
chunyang| | 2009-3-2 13:11 | 只看该作者

驱动应该这样，注意触发电流需满足要求

供电方面更需注意，如果是非隔离的，切记计算MCU的IO在触发和截止态的等效电位，如果是隔离供电就简单的多，但成本会增加不少。

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11楼
xh0821|  楼主 | 2009-3-2 17:32 | 只看该作者

RE:chunyang

非隔离的为什么切记要计算MCU的IO在触发和截止态的等效电位呢?
而为什么如果是隔离供电就简单的多?

小弟不才,想不到原因,
不就是:触发时MCUOUT=-VEE
截止时MCUOUT=VEE
而MCU的GND和VCC之间压差不是一直=VEE吗?



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12楼
yewuyi| | 2009-3-3 09:02 | 只看该作者

不注意的后果就是容易放**

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13楼
xwj| | 2009-3-3 09:10 | 只看该作者

唉....

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14楼
tengfei123| | 2009-3-21 12:25 | 只看该作者

隔离供电???

隔离供电是指什么？

能增加多少成本？

那具体用什么电路？

我觉得稳定才是最重要的

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15楼
tuzihog| | 2012-6-21 17:10 | 只看该作者
回去好好研究

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