请教！请教高速MOSFET 驱动电路

只看该作者 · 2009-3-2 16:32

最近一直在做H BRIDGE CLASS D 的音频电路。PWM频率为5~6M 目前遇到的问题是MOSFET无法进行关断动作。当电路不变降低栅极的频率到几百K HZ的时候，MOSFET关断正常，但是一加上5~6M 的时候就不行。
我自己也试了很多方法，加BUFFER,加三极管发大，等等。可是效果都不好。
所以请教高速MOSFET的驱动电路。
谢谢！

只看该作者 · 2009-3-3 08:35

只看该作者 · 2009-3-3 14:08

要不你就分频。

只看该作者 · 2009-3-3 17:08

需要用大电流的，比如IR2184一类的。

4万 · 2009-3-3 17:13

MOS的工作频率要足够，而驱动电路要有足够快的沿特性，否则高频失真会很明显，非常劣化时就是楼主遇到的情况。

只看该作者 · 2009-3-3 17:16

只看该作者 · 2009-3-4 14:18

我选择的MOSFET是 onsemi 的 NTR4501N,NTR4502P

以NTR4501N 为说明：Ciss=200PF,Total gate charge=2.4nc,turn-on delay time=6.5ns,rise time=12ns,turn-off delay time=12ns,fall time=3ns

NTR4502P的参数也差不多。

我认为管子没有选错，只是驱动电路不合适而已，有想过使用专用的MOSFET驱动电路但是价格承受不了。

想请大家帮我确认一下：1：是否就是驱动问题；2：在驱动电路的选择上希望得到大家的建议。

2万 · 2009-3-4 14:42

3万 · 2009-3-4 15:47

把图贴出来才好讨论。

只看该作者 · 2009-3-4 17:47

晚了点一直都在处理其他的事情，谢谢各位大大

只看该作者 · 2009-3-4 17:50

左边的Q1~Q4是实际电路上使用的，左边Q5是试验用的，因为就控制一个MOS的时候都开关不了，加三极管或BUFFER都不行。mos的资料上面已经给了，这里重复一下
我选择的MOSFET是 onsemi 的 NTR4501N,NTR4502P

以NTR4501N 为说明：Ciss=200PF,Total gate charge=2.4nc,turn-on delay time=6.5ns,rise time=12ns,turn-off delay time=12ns,fall time=3ns

NTR4502P的参数也差不多。

2万 · 2009-3-4 18:24

就靠一个普通的三极管和一个1K的上拉就想开关速度到5M

只看该作者 · 2009-3-4 18:38

只看该作者 · 2009-3-4 18:47

今天听老师讲了一点驱动的电路，那都是一个强悍啊~~~什么二极管电容的都有好多

只看该作者 · 2009-3-4 18:50

Q5 的G极要高电平才能关断，而这个高电平怎么来的呢？是+5V通过R2对Cg和杂散电容充电，RC时间常数决定了关断时间......建议先楼主减小R2试试看，不行再换一个非门。
顺便提一句，这种电路中的R2取值是一个矛盾：R2太小，三极管导通时电流太大；R2太大，上升时间太长.一般用推挽电路的形式来解决这个矛盾，可看看一般的非门是怎么设计的！

3万 · 2009-3-4 19:03

1万 · 2009-3-4 19:13

只看该作者 · 2009-3-10 11:36

这个驱动电路也不行！！！太郁闷了，请指教！！！

只看该作者 · 2009-3-10 11:37

只看该作者 · 2009-3-10 12:22

上下对调一下！

请教！请教高速MOSFET 驱动电路

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顶上来！没有人愿意帮忙吗？

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MOS功放管和驱动电路都是有频响要求的

关断要加负压，可以马上断

呵呵，我已经用的是高频的MOSFET了

把你的图贴上来再说，不然怎么讨论啊？？？

几乎可以肯定是驱动问题

图来了，请帮忙

说明

开玩笑吧

这么个破驱动，不出问题才怪！！！简直是挑战我的想象力

确实是比较简单

要考虑电容的因素

栅极容抗＋驱动电流……

你自己都是问驱动电路，怎么就一个MOSFET ？

这样的也不行！！！

P沟道关不掉，N沟道开不了

你的2个三极管位置放反了

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