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电位问题。

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楼主
沙发
vmospower|  楼主 | 2011-11-5 09:28 | 只看该作者
应该是第二个图,打错了。“-”“+”极性是我加上去的,比如第一个图,不清楚为何极性是这样的,也就是说我不知道为何Ugs会小于零的。

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板凳
yhf311| | 2011-11-5 11:04 | 只看该作者
从楼上贴出来的图,根本无法看出来,应该是楼主漏掉了一些条件吧!

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地板
majipeng1986| | 2011-11-5 11:19 | 只看该作者
一个是N沟道的JFET,一个是N沟道的MOSFET

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5
xia_os| | 2011-11-5 11:46 | 只看该作者
完全不知LZ这图的意思。。。少条件把

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6
vmospower|  楼主 | 2011-11-5 11:49 | 只看该作者
这其实是书上的一个讲电路能不能放大的问题,即是不是外部电压符合管子的要求,即UGS是否符合相对应的管子的要求,但是从这个管子所接电路,我看不出来UGS的正负啊,不知道要怎么看?

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7
junming6385| | 2011-11-5 15:25 | 只看该作者
左边是N沟道JFET,栅极有很小得漏电流,Ugs=Ug-Us=0-Id*Rs=-IdRs,满足Ugs<0的条件
右边的图应该是PMOSFET才可以

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8
sxdxy| | 2011-11-5 18:18 | 只看该作者
re LZ:
首先问下楼主,你的结论是你实际搭电路实测得到的,还是仿真得到的,亦或者你纯粹是凭空想象的?
第二个,图2中Vgs应该是等于0,不会大于0。
第三,可能你是不理解交流通路和直流通路。导致给出了一个不完整的图。那么就算你的说法成立,即第一图Vgs<0,第二个图Vgs>0。那么这有什么好奇怪的呢?这两个图中的晶体管本来就是性质不同的晶体管。
好比问为什么都是汽车,有的要加93号的汽油,有的加0号柴油呢?归根结底是发动机不一样的。
第四,既然知道一个是用的“汽油发动机”,一个用的是“柴油发动机”,那么就去找两者的资料,了解两者的性质。对于JFET和MOSFET,模电教科书一般都会有介绍的。虽然现在JFET用得少,但网络这么发达还是有很多资料可以找的。而且不需要很深入。

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9
vmospower|  楼主 | 2011-11-5 18:59 | 只看该作者
TO:8L,这是书上的原题,华成英童诗白的模电第三版,原题目为“分别判断图P1.24所示电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区”解答时就按这个UGS来讨论的。电路图我未做任何的改动。答案为第一个图可能工作在恒流区,原因是对于N JFET,UGS就小于零,第一图满足这个条件,但我不知为何UGS小于零的,参考书未作解释。
TO:7L,THANK YOU,刚认真看了书,右边的确就该是P MOSFET 才可以,你的“栅极有很小得漏电流,Ugs=Ug-Us=0-Id*Rs=-IdRs,满足Ugs<0”提醒了我。我把极性标错了(老师这样标的),按你的说,那是我们老师讲错了,应该都是UGS<0,但只有第一个可能工作在恒流区。

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10
vmospower|  楼主 | 2011-11-5 19:05 | 只看该作者
TO:8L,看了7楼的回答,我觉得你的“第二个,图2中Vgs应该是等于0,不会大于0。”错了,我认为应该是如7楼所说:“Ugs=Ug-Us=0-Id*Rs=-IdRs,满足Ugs<0 ”
我搞错了,现在我觉得是两个图都是UGS<0的。

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11
vmospower|  楼主 | 2011-11-5 19:17 | 只看该作者
刚才用MULTISIM 10.0仿真了一下,证实了7楼的结果。



根据第三图,证实了7楼的“Ugs=Ug-Us=0-Id*Rs=-IdRs ”

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12
sxdxy| | 2011-11-5 20:17 | 只看该作者
本帖最后由 sxdxy 于 2011-11-5 20:25 编辑

11#
之所以要你去看教科书,知道我的意图么?
显然第一图是N channel JFET,栅极的箭头指进去是一个PN junction。要使这个场效应管处于正常的放大区域,则这个PN结要反偏,若PN结正偏或零偏,JFET的Drain和Source之间就导通。而源极接有一个电阻,使得源极电位上升,进而导致上述的PN结反偏。可以化出等效图如图1


图1.显然有G=0,Vgs<0.
而对于第二个图,图中栅极电压也是0,而Nmos有个阈值电压Vth,就是说要栅源电压Vgs大于Vth才会导通。那么理想情况下这个图Vgs=0。但是MOS管截止了,但也有泄漏电流,二极管反偏时电流也不等于0,假设泄漏电流是1uA级,而MOS的栅极有电阻,因而MOS的源极会有一个高于0V(1mV)的电压,从而导致了所谓的Vgs<0.
注意11楼中第二图电压在-800uV级,完全没有参考意义,好比我们经常不会去关注二极管的反向导通电流一样。所以不是我的说法有错误,而是你不懂得MOSFET是怎么工作的。

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13
sxdxy| | 2011-11-5 20:34 | 只看该作者
本帖最后由 sxdxy 于 2011-11-5 20:38 编辑

注意MOSFET右侧的箭头。NMOS,这个箭头是指进去的,PMOS这个箭头是指出来的。这个箭头所指,就表示一个PN结。因此每个MOS管有一个寄生的JFET。所以在分立的MOS管中,跟这个箭头有关的部分(衬底Substrate)跟源极连接,使得这个PN结反偏,否则有可能导致MOS管无法关断。而对于集成电路,众多的MOS管共用衬底,因此有所谓的“背栅效应”


所以对于这种问题,还是去看课本。如果你是门外汉,不知道JFET和MOSFET有什么区别倒情有可原。既然做电子工程师,自然要对器件的性质了如指掌

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14
vmospower|  楼主 | 2011-11-5 21:10 | 只看该作者
SXDXY,谢谢你的指正,不过我是初学模电,不是很了解器件的物理原理,因为我想要搞懂其物理原理的话,可能要先去了解量子物理学等等,我现在的愿望就是能搞懂其外部特性。

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15
sxdxy| | 2011-11-5 21:21 | 只看该作者
14# vmospower
做电子工程师一般不会要求懂量子力学,除非是做器件的。晶体管的伏安特性了解就够了。还是那句话,看教科书,不看书却在想象会出现什么现象,还量子力学了。不是闹笑话么?

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16
bobo1957| | 2011-11-5 23:30 | 只看该作者
电路能正常工作么

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17
宋业科| | 2011-11-6 04:08 | 只看该作者
12楼解释正确。

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