1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不...

只看该作者 · 2019-6-19 14:12

1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路，这是什么原因

只看该作者 · 2019-6-19 14:27

1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧，正因为导通后VS接近VCC，所以，栅极必须在VCC基础上浮起来，上浮个12-15V，就可以确保MOS正确导通，这就是我们通常说的浮栅驱动，栅极供电是通过自举浮动起来的。这同时也回答了你的问题2.

只看该作者 · 2019-6-19 15:06

tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧，正因为导通后VS接近VCC，所以，栅极必须在VCC基础上浮起来，上浮个12-15V ...

上臂必须是NMOS吧用PMSO耐压也不够啊

只看该作者 · 2019-6-19 15:08

tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧，正因为导通后VS接近VCC，所以，栅极必须在VCC基础上浮起来，上浮个12-15V ...

NMOS放在低端是不需要自举的啊

只看该作者 · 2019-6-19 15:16

QWE4562009 发表于 2019-6-19 15:08
NMOS放在低端是不需要自举的啊

放在低端怎么会大呢

只看该作者 · 2019-6-19 16:13

tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧，正因为导通后VS接近VCC，所以，栅极必须在VCC基础上浮起来，上浮个12-15V ...

要是把NMOS放上端是否可行啊

1万 · 2019-6-19 16:22

QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:13
要是把NMOS放上端是否可行啊

nmos要用自举或BJT提升电路驱动，或用PMOS控制，用BJT提升，中压糸统。如100V的负载电源还是用NMOS加自举电路来得成熟。

只看该作者 · 2019-6-19 16:28

QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:13
要是把NMOS放上端是否可行啊

当然可行，你这个线路类比是P MOS和N MOS组成的H桥，而现在集成的除了部分小功率是采用P+N模式的，大部分也都是采用全N MOS架构，单独驱动的大功率H桥线路也罢，更是。
当采用了N MOS作为上臂开关，则或者是自己做的分立元件自举悬浮上臂驱动，或者是直接采用成品浮栅驱动芯片做，原理都是通过PWM输出过程的电平变化，将上臂栅极驱动电压自举一个固定值。
这类芯片比比皆是哈。国产做H桥驱动的也很成熟了，你可以去看看屹晶微电子官网，里面有很多高低电压的浮栅驱动芯片说明书，做的很友好，都是中国字。

只看该作者 · 2019-6-19 16:32

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:28
当然可行，你这个线路类比是P MOS和N MOS组成的H桥，而现在集成的除了部分小功率是采用P+N模式的，大部分 ...

恩屹晶微用过他们家的移动电源芯片不错

只看该作者 · 2019-6-19 16:34

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:28
当然可行，你这个线路类比是P MOS和N MOS组成的H桥，而现在集成的除了部分小功率是采用P+N模式的，大部分 ...

你的意思是小功率采用上臂PMOS 下臂用nmos 而大功率则用全NMOS的方式？
小功率为何不全采用NMOS

只看该作者 · 2019-6-19 16:39

QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:34
你的意思是小功率采用上臂PMOS 下臂用nmos 而大功率则用全NMOS的方式？
小功率为何不全采用NMOS ...

小功率的，采用P+N，不需要自举了，驱动可以简化，所以，实际做起来，线路比较简洁，用起来也简单。所以在一些小功率集成H桥芯片上面也经常采用。
但是PMOS管固有的，栅极电荷大，导通电阻大的问题，在大功率使用时，矛盾就比较突出了，而当功率更大时候，甚至你只能采购到N MOS管了。所以，大功率H桥，无一例外都采用了浮栅驱动，用全NMOS构成。
同样的，大功率的逆变，则更明确，由于基本上没P结构的IGBT，则都必须采用浮栅驱动的单极性IGBT来构成半桥或者全桥系统。

只看该作者 · 2019-6-19 16:43

tianxj01 发表于 2019-6-19 14:27
1、你的问题应该是上臂 NMOS管吧，正因为导通后VS接近VCC，所以，栅极必须在VCC基础上浮起来，上浮个12-15V ...

延伸一个三极管的问题。三极管饱和导通，需要发射结正偏，集电结正偏，也就是VB＞VC VB＞VE 可是导通后VB＞VC VB＞VE不存在的啊如何维持导通？？？

只看该作者 · 2019-6-19 16:44

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:39
小功率的，采用P+N，不需要自举了，驱动可以简化，所以，实际做起来，线路比较简洁，用起来也简单。所以 ...

NMOS的工艺会不会比PMOS的工艺简单而PMOS的耐压一般都很低

只看该作者 · 2019-6-19 16:47

QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:43
延伸一个三极管的问题。三极管饱和导通，需要发射结正偏，集电结正偏，也就是VB＞VC VB＞VE 可是导通 ...

一般意义上的饱和导通，VCE通常小于VBE，但也不是绝对，大电流饱和导通，VCE很容易超过VBE的，正常啊，完全可以维持饱和导通的。

只看该作者 · 2019-6-19 16:47

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:39
小功率的，采用P+N，不需要自举了，驱动可以简化，所以，实际做起来，线路比较简洁，用起来也简单。所以 ...

小功率的，采用P+N，不需要自举了------放P管在上端导通条件是VGS＜0还是＜VTh呢？

只看该作者 · 2019-6-19 16:49

QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:44
NMOS的工艺会不会比PMOS的工艺简单而PMOS的耐压一般都很低

工艺上面，Nmos的材料成熟，P的就差多了，当然，成本也就这样表现出来了，而且，真像你表述的那样，P材料耐压比N材料耐压差多了。所以很少见高压大功率的PMOS管。

只看该作者 · 2019-6-19 16:50

tianxj01 发表于 2019-6-19 16:47
一般意义上的饱和导通，VCE通常小于VBE，但也不是绝对，大电流饱和导通，VCE很容易超过VBE的，正常啊，完 ...

导通条件是VB＞VC VB＞VE。可是导通后 VB会＜VC啊！!!

只看该作者 · 2019-6-19 16:53

QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:47
小功率的，采用P+N，不需要自举了------放P管在上端导通条件是VGS＜0还是＜VTh呢？ ...

PMOS工作时候，开启的VGS是负压，且大于参数里面开启电压，就可以实现导通。
P管在上端，当电压不超过P管栅极最大电压时候，就可以直接将栅极拉到GND让P管导通，当电压超过P管栅极最高耐压时候，则必须对栅极进行电压限制，让下拉的驱动电压限制在P管栅极电压的安全值范围。

只看该作者 · 2019-6-19 16:57

QWE4562009 发表于 2019-6-19 16:50
导通条件是VB＞VC VB＞VE。可是导通后 VB会＜VC啊！!!

饱和的意义是，不管基极再怎么驱动，其Vce不会再降低，这才是饱和的物理意义，而不是什么VB VE VC的关系。
他们的所谓关系，只是可以观察到的一种表现，而非本质，而且，饱和条件 Vc是可以大于Vb的。所以你上面的说法也并不准确。

只看该作者 · 2019-6-19 17:10

上面回答的已经很好了，自举的意义就是要把G电压高于S，这里面有一个问题就是如果电容不够大，在电机控制的时候是会导致PWM后半段不正常输出的

1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可 可是导通之后VS不...

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