新人请教大家来帮我一下，谢谢了

只看该作者 · 2011-11-7 11:50

我想问一个扇区插除掉电保护的问题呢

由于用到SPI总线，后来涉及到FLASH ROM，这块不太懂，原来用24C02是按字节插除的，FLASH用到扇区插除

为了使不造成数据丢失，所以建立两个扇区，一个用于上一次数据的插除，一个用于提供数据，这样两个扇区轮流提供数据，但是考虑到断电保护的问题，就是说在插除一个扇区的过程中如果突然掉电了，重新通电后我怎么找到原来那个好的数据，也就是未被插除操作的那个数据，因为插除的那个应该不能用了

我怀疑可能用一种算法算出来是哪个扇区，但是我自己真的不知道怎么弄

高手帮我下，别笑话我基础差什么都不懂，谢谢了:handshake

在线等

只看该作者 · 2011-11-7 12:10

只是个参考：数据分别复制保存到两到三个扇区，且对数据进行某种校验计算，校验值也保存到扇区内，可以跟在数据后面，读取数据的时候，可以先读取第一个扇区，对读出的数据进行校验计算，与保存的校验值进行比对，如果不一致，很可能数据就有问题，然后就可以尝试从第二、甚至第三个扇区读取出来，也分别进行校验值比对。最终将校验值对的数据还原出来，并更新出错的那个扇区的数据。一般情况下，应该总有一个数据会是对的。校验可以是和校验、CRC校验等，自己选择，可能CRC会好些。除此之外，由于这样处理会造成数据读写时间的增加，需要考虑读写时间是否对你的应用有影响，还有内存需求的增加。

2万 · 2011-11-7 13:36

这个最好还是有掉电检测为妙，用个大电容维持一下以便作善后处理。

只看该作者 · 2011-11-7 13:43

谢谢高手建议了。不过我还是不太懂，还需要校验呀？好象比较麻烦，能不能根据前面读写次数算出应该是在哪个扇区了，就两个扇区，可不可以根据计算奇偶来定是哪个扇区呀，这个我不太会弄呢，还是先谢谢你了 2# yirongfu

2万 · 2011-11-7 13:54

3楼方法是简洁的根本解决方法

只看该作者 · 2011-11-7 13:59

3楼的是什么意思啊，靠个电容维持？不太明白呢，我很焦急呀
到底怎么办到底怎么办 5# yewuyi

只看该作者 · 2011-11-7 15:44

大家帮我想想办法啊

只看该作者 · 2011-11-7 21:29

如果出发点是为了避免出现失电时写数据错误，做掉电检测并配置足够大的储能电容，能保证数据不会出错，代价是增加一个电容、占用一个I/O资源；如果数据很重要，可以再辅以数据校验等软件的方法，达到更谨慎的数据保护，代价是要增加代码量。如果只是为了恢复数据时能恢复正确的数据，倒可以不考虑失电检测，因为那时候你不一定需要更新Flash内的数据，只需要关心恢复时能找到正确的数据。两种方法各有优缺点。

加电容是为了维持MCU的工作，一旦检测到失电，立即保存好数据，然后进入休眠或空闲，等待电源恢复了再去尝试Flash的读写操作。这个需要根据你系统的功耗来确定需要多大的电容，实验来定。

用计算读写次数或者标志位的方法，从理论分析，都还是有可能造成错误的数据被恢复，因为你不知道什么时候掉电（增加掉电检测电路除外），有可能你在做标志的时候刚好单片机进入复位状态而没成功设标志。

只看该作者 · 2011-11-8 08:52

我就就想知道怎么计算读写次数或者标志位呢，不会弄啊，谢谢yirongfu了

只看该作者 · 2011-11-13 00:01

9# huang1shan

这个读写次数或标志位跟数据是一回事，不同之处是它是程序每擦写一次扇区，这个次数的值就递增1，而且是软件代码控制递增，标志位可以用0或1分别代表某个扇区，或者就用1个字节的值来索引扇区。
但这个不能根本解决问题，因为每次更新这个读写次数或者标志位，也在消耗保存该信息的存储区域的擦写寿命。
以前我使用24C02就确实验证了擦写超过100万次以后，掉电后再上电，读取数据发生错误的事实。当然，不掉电的话就没问题，相当于RAM。

新人请教大家来帮我一下，谢谢了

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