p沟道JFET工作状态

只看该作者 · 2011-11-7 14:08

若Voff<Vgs<0 ,且 Vgd>Voff(保证Vd不能太大) ，则管子工作在可变电阻区

若Voff<Vgs<0 ,且 Vgd<Voff(保证Vd不能太小) ，则管子工作在恒流区（相当于三极管放大区）

结论：若想实现放大状态，Vd千万不能太小，若太小的话输入交流信号的时候，很可能进入可变电阻区，但感觉很多放大电路没对此考虑太多，奇怪。

疑惑：若对于工作在可变电阻区的管子输入正弦波信号，输出应该是要失真的吧？

2万 · 2011-11-7 18:13

re LZ：

p沟道JFET应该是Vgs>0。按所列条件，应该是N沟道JFET。另外，变电阻区的条件是Vgd<Voff，恒流区（或饱和区）是Vgd>Voff。

FET放大电路设计时必须注意其静态工作点的设定，小信号下必须保证不进入截止区和变阻区。虽然FET放大电路小信号下工作在恒流区，但由于器件跨导非理想线性，所以存在一定的失真。放大器的线性可通过深度负反馈来提高，随之也减小相应的失真。

只看该作者 · 2011-11-7 19:14

2# HWM
对，是N沟道，居然又写错了。

“变电阻区的条件是Vgd<Voff，恒流区（或饱和区）是Vgd>Voff”
你说的是绝对值吧？

若想保证N沟道JFET工作在放大区（横流），至少得保证的一个条件是：Vd 得大一些为好，对吧？ Vd得够大，才能让Vgd 够小，从而Vgd才能小于Voff ，（都指的实际值，不是绝对值）也就是Vd越大管子进入恒流区越容易些

2万 · 2011-11-7 22:16

to 3L：

是指绝对值。

只看该作者 · 2011-11-8 17:00

回3楼：
“也就是Vd越大管子进入恒流区越容易些”
这么说，不对。
只要Ugd小于Uoff，即可进入恒流区。但Vd不是越大越好，因为当Vd增大到一定程度，即Uds增大到一定程度时，漏极电流会骤然加大，而导致管子被击穿。因此使用时，应注意漏-源的击穿电压U(BR)DS值

只看该作者 · 2011-11-8 19:48

5# klchang
若是管子工作的时候，Vgd偶尔出现了大于Voff的时候，进入到了可变电阻区，输入信号（正弦）会失真到什么样子

只看该作者 · 2011-11-9 07:49

Vgd偶尔出现了大于Voff时，理论上，漏-源间的电流iD变小，从而输出幅值变小，导致输出信号不是标准的正弦波。至于会失真到什么样子，只能具体情况具体分析。

p沟道JFET工作状态

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