关于晶振

发表于 2009-4-7 10:20

请教电路中晶振两端的激励电平如何控制？比如IC的XT两端的激励电平？那位大虾请赐教！谢谢！

发表于 2009-4-7 10:45

发表于 2009-4-7 15:15

可是很我芯片的工作电压是定了的，我是生产晶体的，因为我们这里的晶体各方面的测试参数都很好，可是我们的客户用时却总是说跑频很大。所以我怀疑他们的电路设计中对晶体的激励电平太大，使得晶体的工作电流远大过石晶体的最大容许电流所造成的频率跑频！可是我们又不知他们这是怎么控制！

发表于 2009-4-7 17:59

发表于 2009-4-7 19:55

给我们介绍点基础知识呀<br /><br />谢谢谢谢……

发表于 2009-4-7 20:23

发表于 2009-4-7 21:41

当然在晶体测试里有一个参数叫DLD也是就对激励电平的依赖性，可是DLDF在我们这里的测试都是很好的产品，到那人家那里就是说不行，频率跑。所以我才怀疑是不是激励电平太大造成。

发表于 2009-4-7 21:46

您所说的谐波问题那就是跟我们的晶体没有关系的了，那您觉得如何消除这些谐波，我们这里有一个产品是给人家做对讲机的，发射的频率就是用我们这里的20950000HZ来倍频到400多M的，如果不是激励造话，会不会人家的倍频也会有问题，您觉得我们要如何跟对方说明这个问题？<br />

发表于 2009-4-7 22:09

    其表现为波形的失真，而波形失真是谐波成份带来的，具体解决办法跟电路结构和元件参数相关。定电路结构下，一般通过改变匹配元件的参数微调，如仍不能实现则需改变电路结构，基于多数应用中特别是频率较高的泛音晶体往往过激励更多，这时可通过串并电阻或对地加电阻来改善。倍频电路跟激励是否合适无关。<br />    另外，在过激励或欠激励的条件下，晶体的寿命跟器件结构和生产工艺也是相关的。

发表于 2009-4-7 23:37

看来得让客户给他们的设计原理图来分析一下才行？还想问一下，通常的倍频电路会不会也有跑频的说法？特别的倍频较高后？

发表于 2009-4-8 00:23

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