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HOMSEMI POWER MOSFET驱动电路应用实例

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原文地址:http://www.homsemi.com/teachshow.asp?id=37

HOMSEMI POWER MOSFET驱动电路应用实例
1.主要参数及特性
MOSFET是由电压控制型器件,输入栅极电压VG控制着漏极电流ID,即一定条件下,漏极电流ID取决于栅极电压VG。极限参数有:最大漏源电压VDS、最大栅源电压VGS、最大漏极电流ID,最大功耗PD。在使用中不能超过极限值,否则会损坏器件。主要电特性有:开启电压VGS(Th);栅极电压为零时的IDSS电流;在一定的VGS条件下的导通电阻RDS(ON)。
2.基于开关电源IC3843驱动电路



HS70N06 VGS一般3.1V就可以完全开启,也有很低的导通电阻RDS(ON),像3843这类内部带图腾柱驱动电路的IC一般都可以很轻松的驱动它.栅极电阻的选择范围也比较大,一般可以从几欧到几百欧.
3.基于MCU图腾驱动电路



MCU的工作电压都比较低(一般都在5.5V以下),不能直接驱动HS80N75或者说驱动能力很差.所以我们一般选择增加外部图腾驱动电路.
4.基于逆变器输出驱动电路



5.基于HID安定器全桥驱动电路



6.基于DCBL马达驱动电路



在这种通电方式里,每瞬间均有三只MOSFET通电.每60o换相一次,每次有一个MOSFET换相,每个MOSFET通电180o.

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沙发
slshen| | 2011-11-8 12:47 | 只看该作者
好**

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板凳
maychang| | 2011-11-8 15:18 | 只看该作者

注意此图是反相驱动。
MCU上电时,其各引脚不是高电平就是高阻态。对此图来说,功率管必烧无疑。

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地板
homsemi-yj|  楼主 | 2011-11-10 14:08 | 只看该作者
MCU的频率的在12M以上,程序运行最大时间要2个机器周期,它在程序运行前最多只有纳秒级的高电平时间,所以不存在烧管的问题,当然也可以在加下拉电路在重新运行前保证低电平,就不会出现有导通现象

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5
uuzzaa| | 2011-11-19 09:44 | 只看该作者
期待新的帖子

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