MOC3041与双向可控硅BT139烧电阻问题

登录 · 发表于 2019-7-5 16:28

本帖最后由 hsftwx52 于 2019-7-5 16:30 编辑

C:\Users\Administrator\Desktop
如图：我现在用的场景是控制家里的灯，电源是市电。灯的功率大概100W。设备上这样的控制电路有20个。现在出现了设备上偶尔会有几路电阻经常烧坏。有时候是420R与330R一起烧坏，有时候是只烧坏330R。这两个电阻都是用的金属膜，1/4W的。请教下坛子里面的大神。是什么原因导致的呢，可控硅参数是BT139-16A-800V。应该怎么去避免这个问题。

发表于 2019-7-5 16:30

这两个电阻并非是绝对的会烧。20路中只会有2-3路这样烧

发表于 2019-7-5 16:31

没人，先自己顶一个·····感谢各位大佬帮忙指点小弟

发表于 2019-7-6 09:30

把金属膜电阻改成碳膜就可以了

发表于 2019-7-8 15:45

king5555 发表于 2019-7-5 21:16
可控硅触发电流以及在什么相位角度时触发，就可知这两阻承受多多电压和电流，不方便计算可藉由仿真求得。光 ...

导通后，430R和330R上的电压很低了，就是可控硅的压降这个时候电流很小。其实理论上0805都没问题的

发表于 2019-7-8 16:23

烧坏的现象是什么？一般是开路了，是烧焦的开路？还是表面看不出明显痕迹的开路？
330欧姆电阻，接的是可控硅的G极，可控硅内部，G/T1之间有PN结双向保护的，电压不会这么高导致电阻烧坏的。
出现意外，一般是420欧姆的电阻烧掉，330欧姆的电压不会很高的。
类似电路，电阻1206的，没有见过烧掉的，0805也不见烧掉的，除非出现意外了（可控硅没有触发之类的）。
我怀疑可控硅的触发电流太大，没有触发，或者可控硅的某些引脚有开路接触不良。

发表于 2019-7-9 10:46

gx_huang 发表于 2019-7-8 16:23
烧坏的现象是什么？一般是开路了，是烧焦的开路？还是表面看不出明显痕迹的开路？
330欧姆电阻，接的是可控 ...

电阻是烧焦开路了。至于您说的可控硅触发电流大，但是我负载是100W不到的灯····日光灯，带整流器的那种。板子上有20个这样相同的电路，但是不是每个都会烧。只有极个别的呢。没有触发和触发脚不良我检查过，确实触发了的。

发表于 2019-7-9 10:49

1、有同事说我这个430R电阻选小了，应该选个大的。还没试
2、有同事又说这个电路在L与OUT间加RC电路。我试过加了RC没用，一直处于导通状态。39R 1W电阻与0.1uF 630V的CBB电容。
加了RC后直接就通了。光耦拉高拉低都不行
3、有同事说我灯管有问题，是感性负载，会在关闭后有反向电压

发表于 2019-7-9 10:50

那两个430R与330R的电阻我把功率加大到1/2W这个时候电阻不烧。可控硅却烧掉

发表于 2019-7-9 16:29

hsftwx52 发表于 2019-7-9 10:46
电阻是烧焦开路了。至于您说的可控硅触发电流大，但是我负载是100W不到的灯····日光灯，带整流器的那 ...

说了半天，你根本没有理解这个电路的原理。
当可控硅没有被触发，MOC3041其实已经导通了，给可控硅触发的限流电阻，变成了MOC3041的负载，这个负载功耗很大的，只有可控硅触发了，这些电阻的电压才会消失。正常情况，可控硅很快被触发，微秒级别的，这些电阻的功耗很低的。
不信的话，你把可控硅T2开路，这个420欧姆电阻必然烧掉。
至于330欧姆电阻会烧掉，应该是其它原因，比如可控硅管脚虚焊。

@hsftwx52 · 发表于 2019-7-9 17:32

hsftwx52 发表于 2019-7-9 10:50
那两个430R与330R的电阻我把功率加大到1/2W这个时候电阻不烧。可控硅却烧掉

阻值不变，功率加大，3041触发时间，3041二端是通的，应此，此电流很大，通过二个电阻的电压在不同的半波加进GA或GK，不同电阻来保证触发电流的最低电流。

发表于 2019-7-12 10:05

king5555 发表于 2019-7-9 21:03
MOC3041看一下驱动电流规格，若是15mA，则200欧姆明显过大。

光耦的二极管的电阻有差不多1K把。加我这个200R应该不到15mA

发表于 2019-7-12 10:07

gx_huang 发表于 2019-7-9 16:29
说了半天，你根本没有理解这个电路的原理。
当可控硅没有被触发，MOC3041其实已经导通了，给可控硅触发的 ...

这个电路我确实没理解.按照您的说法关于虚汗我否反复检查了,并且可控硅的2个脚是做了开窗PCB的

发表于 2019-7-12 18:46

你又不调角，换成3061多好，还没什么干扰。

发表于 2019-7-23 15:23

应该是你的负载阻抗太小，与R25 组成分压电路，给可控硅提供出发电流，如果负载电阻小，就会导致可控硅控制极电流大，烧坏可控硅，电阻等

发表于 2019-7-31 09:25

w356877795 发表于 2019-7-23 15:23
应该是你的负载阻抗太小，与R25 组成分压电路，给可控硅提供出发电流，如果负载电阻小，就会导致可控硅控 ...

我认为有道理的

发表于 2024-4-9 15:33

如果用的是贴片电阻的话，注意封装是否能承受310V电压，

发表于 2024-6-4 11:46

楼主解决了吗

发表于 2025-1-7 18:18

w356877795 发表于 2019-7-23 15:23
应该是你的负载阻抗太小，与R25 组成分压电路，给可控硅提供出发电流，如果负载电阻小，就会导致可控硅控 ...

有很大概率是这个问题，这样就要修改R25和R29的阻值，改成1K以上应该可以了，这样就可以分走大部分电压，然后触发G级导通可控硅

发表于 2025-1-8 16:33

我的用的3061，很稳定。你试试。然后把两个电阻阻值对调一下

MOC3041与双向可控硅BT139烧电阻问题

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