电路研究

只看该作者 · 2008-6-25 18:11

图中Q1和Q2是T1的保护电路，AC1、AC2是交流220V，设计想法是：当T1正常工作时，IO2是置高电平（Vcc=5V），Q1和Q2不导通，当电路检测到T1失效长导通时（检测电路不在此图中），IO2置低电平0V，Q1和Q2导通，RB发热。

因为对模拟电路不太熟悉，请大家看看这个电路能不能实用，有什么弊端没有？如果能用，Q1和Q2的参数怎么选，是不是CE耐压要400V以上，0.5A的，

呵呵，因为比较急，大家顶一顶呀！

3万 · 2008-6-25 18:29

就算Q2导通了，RB用2W？

只看该作者 · 2008-6-25 20:28

IO2是地时....

-319 · 2008-6-25 21:28

只看该作者 · 2008-6-25 23:32

看不太懂！

只看该作者 · 2008-6-26 07:59

＋5V是阻容降压取得的，是为了二三相限控制可控硅的。
RB用是1～2W的，实际是他的作用是可控硅短路时，IO2控制其导通发热，只要发热几分钟就足够了。

谢谢各位发言，请各位从实用的角度考虑一下。我只是先从原理提出来认各位帮忙看一看能不能实用，Q1和Q2我还没有选好型号。

只看该作者 · 2008-6-28 01:15

本电路的Q2原来是一个光耦，但光耦的成本有点高，所以想用三极管来代替，原理上说，如果IO2是＋5v时，Q1不导通，那么就导通;如果IO2等于GND时，Q1导通，那么Q2也就导通了，理论上在可控硅导通或不导通时，Q1和Q2上最大都会承受220×1.414V的电压，所以最好选耐压是400V的管子，不知道贴片的有没有

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