pic18F27Q10的EEPROM 擦，写问题

只看该作者 · 2019-7-15 21:18

pic18F27Q10，在操作flash的eeprom时候，无法写入数据，但是可以读出数据，同时也无法擦除。
我把代码例程核对过，看不出什么问题，请各位大师指点一二，看看问题出在哪里，eerate也读过了，已经把err位的问题解决了
         下面是写eeprom的代码。已经加了注释，帮忙看下问题大概出在什么地方，多谢
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   GIE=0;                // 关闭中断
   temp_reg=0x7A;          // 准备写入数据0x7A
NVMADRU=0x31;          // 最高位地址 0x31
NVMADRH=0x00;       // 高位地址 0x00
NVMADRL=0x00;       // 地位地址 0x00  // 0x310000为18F27Q10 date eeprom地址
NVMDATL=temp_reg;    //数据写入寄存器
NVMCON0bits.NVMEN=1; // NVM 控制器使能
NVMCON2=0x55;       // 解锁序列 0x55 0xAA
NOP();
NVMCON2=0xAA;
NOP();
NVMCON1bits.WR=1;    // WR置1  操作eeprom时候使用wr 位
NOP();
NOP();
while(NVMCON1bits.WR==1);
   NVMCON0bits.NVMEN=0;
   GIE=1;
、、*************************************************************************************************************

只看该作者 · 2019-7-16 08:23

用MCC生成多好，不用自己一点点写了。

下面是MCC生成的代码。

void DATAEE_WriteByte(uint16_t bAdd, uint8_t bData)
{
uint8_t GIEBitValue = INTCONbits.GIE;

//Set NVMADR with the target word address: 0x310000 - 0x3103FF
NVMADRU = 0x31;
NVMADRH = (uint8_t)((bAdd & 0xFF00) >> 8);
NVMADRL = (uint8_t)(bAdd & 0x00FF);

//Load NVMDATL with desired byte
NVMDATL = (uint8_t)(bData & 0xFF);

//Enable NVM access
NVMCON0bits.NVMEN = 1;

//Disable interrupts
INTCONbits.GIE = 0;

//Perform the unlock sequence
NVMCON2 = 0x55;
NVMCON2 = 0xAA;

//Start DATAEE write and wait for the operation to complete
NVMCON1bits.WR = 1;
while (NVMCON1bits.WR);

//Restore all the interrupts
INTCONbits.GIE = GIEBitValue;

//Disable NVM access
NVMCON0bits.NVMEN = 0;
}