关于大功率MOS应用的一些问题

只看该作者 · 2008-6-16 11:23

我查了一些关于VMOS手册（IRF540）,有如下问题需要大家帮忙解释一下，
  1，Id：@Tc=25℃    33MAX  是指身壳在25℃时，Id=33MAX。
     Id：@Tc=100℃    23MAX  是指身壳在100℃时，Id=23MAX。
     Pd：@Tc=25℃     130W  每加1℃功率将降0。87W。
     上面应该是这个意思吧，我的问题是我要带20A的电流，我需要如何加散热片。加多大，有没有什么公式还是有没有经验。
  2，VDSS：100MAX  IDSS=25--250UA，VGS=±20V，其中当VGS大于VTN（一般是2--4V）。手册上是这样说明的，但是我在网上也经常看到一般在VMOS前加一个三极管，且三极管输出端上拉电压在9V，这样做是为了什么，我可以直接用MCU（TTL电平）来驱动VGS，也就是说不用9V，而是5V，换个方式来问就是VGS是5V和9V时有什么区别，是不是VGS偏压越大，带的负载也就越大，VGS会影响IDMAX吗，（在相同的温度下）。
  3，GFS：是指什么？是越大越好还是越小越好？

3万 · 2008-6-16 11:29

1、不知道你的管子功率耗散有多大，没法说用多大散热器。
2、“是不是VGS偏压越大，带的负载也就越大”，当然不是。

只看该作者 · 2008-6-16 11:51

早期MOS以及大电流/高压MOS的开启电压较高，新一代的低压/小电流MOS管的VGS低一些。具体看厂家的datesheet上的VGS曲线。
IRF830是早期的高压mos，VGS自然比较高；IRF620就可以低一些。
在较大电流应用时，也需要加大的Vgs,主要原因是VMOS导通是从点到面的，若Vgs过小，就仅仅实现点导通，会烧毁VMOS的。
新一代的低压低阻VMOS一般在5~10V就可以获得很好的效果。

建议：在可能的情况下，尽可能提高实际Vgs,尽可能接近VMOS给出的Vgs最大值（决不能超过），这样才能获得最佳效果。
以上是a12345678在以前的BBS里面找到的一段话，但我也还有一个问题，我的系统供电是24V，用了一个LM2576降到5V给系统供电，而IRF540是VGS=±20V，意思也就是我用12V的电压做效果可能会很好，这样做我不是还需要一个转换成9/12V的电路，有没有什么好的方法。我直接用5V驱动是不是会像a12345678前辈说的一样会烧毁VMOS的。

3万 · 2008-6-16 12:05

楼主应该看到GS之间是个电容，且由于米勒效应视在的电容比输入电容还要大得多。假定4V导通，那么在4V左右实际上拉电压只有1V，是1V电压给这个电容充电，必然充电时间较长，管子达到完全导通需要较长时间。这对高频开关工作非常不利，增加开关损耗。如果用9V电源电压则导通时有5V电压对该电容充电，速度要快得多，有利于减少开关损耗。

关于大功率MOS应用的一些问题

相关下载

相关帖子

回

增加问题

用5V驱动倒不一定烧管子