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初级技术员
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2019-7-21 14:18 上传
使用特权
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技术总监
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资深工程师
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232
中级技术员
wozaihuayu 发表于 2019-7-22 17:42 R2303短接试试,这个电阻太大,使MOS管打开过慢,从而使打开瞬间MOS内阻增大,功耗升高 ...
radical608 发表于 2019-7-22 23:07 可能是导通太快了,VGS加个电容,缓启动试下。
lfc315 发表于 2019-7-22 10:59 2300的MOS管,封装是SOT23的吧,承受不了短时间大电流,换大一点封装的管子。 ...
wozaihuayu 发表于 2019-7-22 10:05 电源电压是多少,什么情况下损坏?
lane50 发表于 2019-7-21 22:53 R2304电阻太大了,mos没有完全导通线性区损耗大。 建议把电阻改为10R试一试。 ...
congfenglong 发表于 2019-7-22 08:23 由于米勒电容的存在,在G端为开通但是DS有电源的情况下导致Qg的电荷量很大,需要吸收电路才可以,你试试在G ...
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四个mosfet每两个一组头对头,这样接对面?
@江潮涌雪 :开关速度太慢,热击穿,烧。开关速度太快,过压击穿也烧。
@xch :可否请指点详情?谢谢
不烧才怪