[STM32F2] 把里面100个字节依次写入EEPROM

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 楼主| huanghuac 发表于 2019-7-29 21:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
一个数组uchar buf[100],想把里面100个字节依次写入EEPROM,应该怎么实现?
happy_10 发表于 2019-7-29 21:43 | 显示全部楼层

楼主详细说说怎么回事啊,这么说太笼统了
 楼主| huanghuac 发表于 2019-7-29 21:46 | 显示全部楼层
如果一次写一个字节,每次都要将地址写入吗,可不可以实现地址的自动偏移?
happy_10 发表于 2019-7-29 21:52 | 显示全部楼层
这个要看EEPROM的手册,有的EEPROM支持连续写的功能
wenfen 发表于 2019-7-29 21:55 | 显示全部楼层
这个需要进行地址的偏移处理的
zhuhuis 发表于 2019-7-29 21:56 | 显示全部楼层
EEPROM一般支持页写的,写一次地址就可以写一页,速度更快。
happy_10 发表于 2019-7-29 21:58 | 显示全部楼层
这个只能是地址自++才行。
tian111 发表于 2019-7-29 22:00 | 显示全部楼层
iic写入的地址+1偏移。
songqian17 发表于 2019-7-29 22:03 | 显示全部楼层
EEPROM有偏移的方式的啊。
wenfen 发表于 2019-7-29 22:05 | 显示全部楼层

这个不是很容易吗?每次写完地址加一。
wenfen 发表于 2019-7-29 22:08 | 显示全部楼层
连续写入数据是需要有时间间隔的。
zwll 发表于 2019-7-29 22:12 | 显示全部楼层
每次都需要写入保存到数据地址。定位之后,存储地址定位。
zhuhuis 发表于 2019-7-29 22:15 | 显示全部楼层
可以连续写入多个字节试试。
juventus9554 发表于 2019-7-29 22:17 | 显示全部楼层
进行页写操作,要先进行单字节
zhuhuis 发表于 2019-7-29 22:42 | 显示全部楼层
eeprom没有批量烧写吧,Flash有批量的写入方式。
happy_10 发表于 2019-7-29 22:45 | 显示全部楼层
这个记得每次地址要加一的就可以吧
bqyj 发表于 2019-7-29 22:49 | 显示全部楼层
写入更多数据要看EEPROM的手册,需要页的概念。
stly 发表于 2019-7-29 22:51 | 显示全部楼层

需要地址偏移
 楼主| huanghuac 发表于 2019-7-29 22:53 | 显示全部楼层

其实还是不大明白,我再琢磨琢磨吧,多谢了哈,结贴了先
八层楼 发表于 2019-8-15 10:37 | 显示全部楼层
需要指定地址不
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