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ASM1117 5.0 12v输入 很容易击穿?

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楼主: ztb
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21楼
ztb|  楼主 | 2019-7-31 09:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
cjseng 发表于 2019-7-30 23:51
用78M05，占PCB面积比1117大不了多少

PCB已经焊接好了,不是面积问题,以后会改为7805了.感觉比LDO皮实.

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yanwen217 2019-7-31 10:11 回复TA
并不是LDO不皮实，而是选型的参数有问题！弄颗30V以上的LDO，保证没问题。 
22楼
ztb|  楼主 | 2019-7-31 09:59 | 只看该作者
gxs64 发表于 2019-7-30 17:46
都不认真看DATASHEET，Vin_max=15v

12V输入,已经是小于最大值了呀! 难道选择LDO也要有几倍的余量?

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23楼
yanwen217| | 2019-7-31 10:09 | 只看该作者
ztb 发表于 2019-7-31 09:59
12V输入,已经是小于最大值了呀! 难道选择LDO也要有几倍的余量?

12V电源接入瞬间，浪涌电压要考虑在24V以上！
自己用示波器捕捉上电曲线看看就明白了。

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24楼
steelen| | 2019-7-31 10:19 | 只看该作者
1117的耐压远不及7805
输入端并个TVS试试
有些过电压万用表是量不到的，示波器也未必抓的倒

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25楼
gxs64| | 2019-7-31 10:31 | 只看该作者
ztb 发表于 2019-7-31 09:59
12V输入,已经是小于最大值了呀! 难道选择LDO也要有几倍的余量?

一般一倍

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26楼
gxs64| | 2019-7-31 10:33 | 只看该作者
ztb 发表于 2019-7-31 09:59
12V输入,已经是小于最大值了呀! 难道选择LDO也要有几倍的余量?

你根本没搞清楚什么叫ldo

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27楼
ztb|  楼主 | 2019-7-31 10:49 | 只看该作者
本帖最后由 ztb 于 2019-7-31 11:14 编辑
gxs64 发表于 2019-7-31 10:33
你根本没搞清楚什么叫ldo

接受批评.的确不应该选择LDO. 只是价格比7805便宜于是习惯性选择了它.是个错误的设计!

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28楼
gxs64| | 2019-7-31 18:08 | 只看该作者
ztb 发表于 2019-7-31 10:49
接受批评.的确不应该选择LDO. 只是价格比7805便宜于是习惯性选择了它.是个错误的设计! ...

你还是没搞清楚，LDO是指在低压差下可以工作，与Vinmax没关系，Vinmax=15v的7805一样容易挂。

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29楼
lyr1983119| | 2019-8-1 11:42 | 只看该作者
7805的耐压高很多当然不容易坏，AMS1117耐压才12V，你处于极限状态  电源稍微有拨动就超过了 当然容易烧坏。。。不如不想改动   可以改用RS1117耐压15V的

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30楼
chenglcd| | 2019-8-1 14:15 | 只看该作者
LDO输出电容不能过大建议220UF以内，输入处串一个22欧姆1W的电阻再接滤波电容到输出脚。

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31楼
gxs64| | 2019-8-1 16:55 | 只看该作者
https://www.diodes.com/products/power-management/low-dropout-regulators/#VIN (Max):%7B%22min%22%3A16.009%2C%22max%22%3A40%7D
多如牛毛

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32楼
sgchenm| | 2019-8-1 17:03 | 只看该作者
AMS1117耐压比较低，如果不行改PCB板，推荐使用NCP1117这款，耐压达到18v

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33楼
ztb|  楼主 | 2019-8-2 09:30 | 只看该作者
chenglcd 发表于 2019-8-1 14:15
LDO输出电容不能过大建议220UF以内，输入处串一个22欧姆1W的电阻再接滤波电容到输出脚。 ...

好在5V部分电流小于30mA,目前暂时采用在12V输入端串联120欧姆电阻与已经在板上的4.7uF输入电容形成RC吸收回路来降低尖峰破坏力.效果还在试验中,暂时没有发现再次损坏.

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34楼
ztb|  楼主 | 2019-8-2 09:37 | 只看该作者
本帖最后由 ztb 于 2019-8-2 10:13 编辑
sgchenm 发表于 2019-8-1 17:03
AMS1117耐压比较低，如果不行改PCB板，推荐使用NCP1117这款，耐压达到18v

AMS1117数据表给出的最高工作电压是15V,但是我测试时加到32V才能看到静态电流从1.5mA开始增加.对多个IC进行这样的测试都是这个结果,也没有损坏.不知道这个测试数据是否可以表明30V的尖峰也不至于损坏AMS1117?
对比7805,7812系列,同样的测试可以到达50V以上(空载静态电流大于最大值6mA).并且有一个明显的差异是7800的空载静态电流与输入电压的关系比较软,随着电压的上升缓慢上升,而AMS1117比较硬,32V以下基本不变超过32V后上升很快.这个特性是否也说明AMS1117更容易损坏呢?

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35楼
gxs64| | 2019-8-2 09:57 | 只看该作者
ztb 发表于 2019-8-2 09:37
AMS1117数据表给出的最高工作电压是15V,但是我测试时加到32V才能看到静态电流从1.5mA开始增加.对多个IC进 ...

你就这样做设计？晕！！！

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36楼
ztb|  楼主 | 2019-8-2 10:12 | 只看该作者
gxs64 发表于 2019-8-2 09:57
你就这样做设计？晕！！！

这个处理只是在调查故障原因时的做法,不知道晕在哪里?

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37楼
gxs64| | 2019-8-2 10:29 | 只看该作者
ztb 发表于 2019-8-2 10:12
这个处理只是在调查故障原因时的做法,不知道晕在哪里?

有什么原因可查？余量小了，买到歪货了。

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