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大家帮忙看看双向可控硅电路

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楼主: zp6916
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21楼
zp6916|  楼主 | 2011-11-12 09:18 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
19# maychang
限流我明白了，但是问题是R2两端的电压是多少呢？380V？光耦内部不是有一个过零检测电路吗？这个电路作用不是说检测到电压在0V附近（大概在10V左右），光耦内部电路才会使380V交流流过吗？光耦在0V附近一导通，门极就被触发，双向可控硅就导通，交流就会经过双向可控硅而不经过光耦输出侧了（不知道这个理解对不对）
我想知道的问题是，R2上的电压最大能达到多少呢？是380V？还是0V附近（10V左右）的电压？

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22楼
Cortex-M0| | 2011-11-12 09:48 | 只看该作者
R2上的电压是可变的，未成功触发时，电压上升，最高可达正负几十伏，可控硅一但导通，电压直线下降至约0V

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23楼
a3213211353| | 2011-11-12 10:01 | 只看该作者
学习了

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24楼
zp6916|  楼主 | 2011-12-15 10:08 | 只看该作者
19# maychang
您好：关于您这个回答，让我明白了很多，但是还有个问题，这个R2的阻值流过的电流主要依据触发电流来取，但是电压的取值主要依据什么来确定？还有，双向可控硅门极的触发电流是怎么流过的？是R2-光耦-可控硅门极-这样流过吗？R3是给门极提供门极电压吗？比较急，望解答

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25楼
mrwcq| | 2013-12-5 23:11 | 只看该作者
其实，两个电阻都应该是限流的作用，但交流电为正向时，电流通过R2、光耦内阻施加到可控硅G级，而交流电为负半波，电流由交流电的N线经过R3直接到G级，而光耦可控硅在此时充当放电的动作，电流流过光耦可控硅产生电流流动的态势，触发可控硅，愚见！！！

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26楼
ycslian| | 2014-5-9 10:48 | 只看该作者
都给你回答了，说的都对

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27楼
362479145| | 2015-3-26 13:31 | 只看该作者
本帖最后由 362479145 于 2015-3-26 13:35 编辑
maychang 发表于 2011-11-11 16:53
这两图一样？

maychang 老师，请教一个问题:我按照第一幅图的接法，可控硅受单片机控制：但是按照第二幅图的接法，可控硅却一直导通，不受单片机控制！理论上应该是第二幅电路图是正确的啊！很是费解，希望您给指导一下！谢谢！

zzz.gif (11.01 KB )

zzz.gif

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28楼
cauhorse| | 2015-3-26 13:59 | 只看该作者
计算过程可以大致参考下面这个AN:
https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-3004.pdf
AN-3004 Applications of Zero Voltage Crossing Optically Isolated Triac Drivers

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29楼
xiachunbo| | 2015-3-28 20:59 | 只看该作者
@maychang
解析的真给力。赞

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30楼
chuzhaonan| | 2017-8-16 21:15 | 只看该作者
chunyang 发表于 2011-11-11 23:49
R2是光耦输出级的限流电阻，R3是可控硅的偏置电阻，防止可控硅被干扰信号误触发，R4和电容构成RC吸收回路用 ...

已经按照规格书上的电路进行搭建了，为什么感觉还是容易触发，导致晶闸管损坏的？

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31楼
chunyang| | 2017-8-17 13:53 | 只看该作者
chuzhaonan 发表于 2017-8-16 21:15
已经按照规格书上的电路进行搭建了，为什么感觉还是容易触发，导致晶闸管损坏的？ ...

有问题另行开帖，说清楚情况，包括给出电路和负载。

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