双基极二极管双基极二极管是具有两个基极和一个发射极的三端负阻半导体器件。它只有一个PN结， 所以又称为单结晶体管，它共有3只引脚，分别是发射极E、第一基极B1和第二基极B2。
双基极二极管主要应用于各种张驰震荡器， 定时电压读出电路，具有频率易调，温度特性好的优点。
结构
双基极二极管的制作过程：在一块高电阻率的N型半导体基片的两端各引出一个铝电极，如图4—9c所示，分别称为第一基极B1和第二基极B2，然后在N型半导体基片一侧埋入P型半导体，在两种半导体的结合部位就形成了一个PN结，再在P型半导体端引出一个电极，称为发射极E。
双基极二极管的等效电路如图4—9d所示。双基极二极管B1、B2极之间为高电阻率的N型半导体，故两极之间的电阻RBB较大(约4—12千欧)，以PN结为中心，将N型半导体分为两部分，PN结与B1极之间的电阻用RB1表示，PN结与B2极之间的电阻用RB2表示，RBB=RB1+RB2，E极与N型半导体之间的PN结可等效为一个二极管，用VD表示。
性能参数
双基极二极管的参数有多个，主要参数分压比、峰点电压与电流、谷点电压与电流、调制 极二极管的命各方法电流和耗散功率为例讲解。
（1）分压比。分压比h是指双基极二极管发射极E至第一基极B1间的电压（不包括PN结管压降）占两基极问电压的比例，是双基极二极管很重要的参数，一般在0.3~0.9，是由管子内部结构所决定的常数。
（2）峰点电压与电流。峰点电压是指双基极二极管刚开始导通时的发射椒E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫作峰点电流。
（3）谷点电压与电流。谷点电压是指双基极二极管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫作谷点电流。
（4）调制电流。调制电流是指发射极处于饱和状态时，从双基极二极管第二基极B2流过的电流。
（5）耗散功率。耗散功率是指双基极二极管第二基极的最大耗散功率。这是一项极限参数，使用中双基极二极管实际功耗应小于P瞠M并留有一定余量，以防损坏。
选用与检测
(1)检测两基极间电阻。
万用表置于“R×1k”挡，两表笔(不分正、负)接双基极二极管除发射极E以外的两个引脚，读数应为3-10千欧。
(2)检测PN结。
1)检测PN结正向电阻时(以N型基极管为例，下同)，黑表笔(表内电池正极)接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为几千欧。
2)检测PN结反向电阻时。红表笔接发射极E，黑表笔分别接两个基极，读数均应为无穷大。如果测量结果与上述不符，则说明被测双基极二极管已损坏。
(3)测量双基极二极管的分压比。组装测量双基极二极管分压比η的电路，用万能表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2，再代人公式即可计算出该双基极二极管的分压比。
特性曲线
双基极二极管的特性曲线如图所示。
发射极电压UE大于峰值电压UP是双基极二极管导通的必要条件。UP不是一个常数，而是取决于分压比η和UBB的大小，即UP=ηUBB+0.7V。由于UP和UBB呈线性关系，所以可以得到稳定的触发电压，又因峰点的电流很小，所以需要的触发电流也很小。
谷点电压Uv是维持单结晶体管处于导通状态的最小电压。不同的双基极二极管的谷点电压也不同，一般为2～5V。当UE=Uv时，双基极二极管进入截止状态。
由于双基极二极管是一个负阻器件，每一个电流值都会对应一个确定的电压值，但每一个电压值则可能有不同的电流值。根据这一点，可在维持电压不变的情况下，使电流产生跃变，就可以获得较大的脉冲电流。
BAT54SWT1G www.dzsc.com/ic-detail/9_13392.html的参数
产品型号:bat54swt1g
最小反向电压vr(v):30
最大二极管电容ct@v(max)( pf):10
最大二极管电容ct@vv:1
正向电压vf最大值(v):0.400
最大反向漏电流ir (max)( na):2000
最大反向漏电流ir对应的电压vr(v):25
类型:双二极管
封装/温度(℃):sc-70/-55~125
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