STM32 FLASh模拟EEPROM怎么使用

只看该作者 · 2011-11-15 12:28

请问下我看STM32 FLASH模拟EEPROM的例子，我有个不明白的地方，
这个例子对一页写，如果对同一地址在写不会覆盖而到下个地址了，这样这个地址不是变了吗，我的目的拿来存储一批参数配置，打算用两页分开放，两个页面各存储大概几十个字节的参数，打算需要时读页的地址读出来，同时支持写，这样我就有疑问了用例子程序可是他是向下写，这样我在写并没覆盖原来的地址啊，请各位给出出点子谢谢

只看该作者 · 2011-11-15 12:44

论坛里有帖子的。。可以搜一下

只看该作者 · 2011-11-15 12:47

谢谢您的回复
我搜过啦没有看到我想要的答案

1万 · 2011-11-15 13:06

看了三遍也没有明白LZ在说什么，难道俺的中文这么差？ :L

只看该作者 · 2011-11-15 13:25

不好意思啊版主没表达清楚
我是这么用的
结果Data_BUF1写进去了 Data_BUF2存的地方又被清成FF了，我该怎么操作呢
FLASH_WriteHalfWord(0x08010000,Data_BUF2,4);
FLASH_WriteHalfWord(0x08010010,Data_BUF1,4);
void FLASH_WriteHalfWord(u32 add, u16 *DataBuf, u8 number)
{
volatile FLASH_Status FLASHStatus;
FLASH_Unlock(); //解锁
FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(add);
FLASH_Unlock(); //Unlock the Flash
while(number)
{
      FLASH_ProgramHalfWord(add, *DataBuf);//在指定地址编写半字
      if(FLASH_GetStatus()==FLASH_COMPLETE)  //获取Flash状态
      {
         number--;
         add += 2;
         DataBuf++;
      }
      else
{
number=0;
}
   }
FLASH_Lock();
}