内部存储器的问题？

只看该作者 · 2011-11-15 17:40

SRAM和DRAM在存储机理上有和区别？后者的创新意义是什么？

只看该作者 · 2011-11-15 17:47

动态和静态的区别：
SRAM不需要数据刷新，靠自身的存储单元只要不掉电，就能保存好存储数据；
DRAM的存储单元只是一个电容，在存储过程中，必须刷新数据，否则由于漏电流作用，存储的数据就会无法判别，导致数据丢失。

只看该作者 · 2011-11-15 17:47

从芯片的三大参数比较同工艺其优劣：
SRAM速度快面积大功耗大些
DRAM速度慢但面积小。

后者的创新意义主要在与SRAM存储单元用6个MOS管组成，而DRAM存储单元只用1个MOS组成，属于面积能做的很小，但需考虑到存储单元的漏电，所以比SRAM多需要数据刷新的时序，和电路。

只看该作者 · 2011-12-5 23:26

动态和静态的区别：
SRAM不需要数据刷新，靠自身的存储单元只要不掉电，就能保存好存储数据；
DRAM的存储单元只是一个电容，在存储过程中，必须刷新数据，否则由于漏电流作用，存储的数据就会无法判别，导致数据丢失。

从芯片的三大参数比较同工艺其优劣：
SRAM速度快面积大功耗大些
DRAM速度慢但面积小。

后者的创新意义主要在与SRAM存储单元用6个MOS管组成，而DRAM存储单元只用1个MOS组成，属于面积能做的很小，但需考虑到存储单元的漏电，所以比SRAM多需要数据刷新的时序，和电路。

只看该作者 · 2011-12-11 22:09

回答的很满意:victory: