凌特LT3789如果要输出12V10A 直接并联MOS就可以？

只看该作者 · 2019-8-26 17:05

只看该作者 · 2019-8-26 17:42

首先，电感的功率要增加一倍
再其次，MOS管肯定得加大，而不是直接2同规格并联，根据Qg，Ron，选择增大一倍的数据，最好，Qg并不增加多少。
还有，过载采样电阻必须减少一半。
由于管子增大，Qg增大，可能会影响开关速度，表现为效率变差点，不过一般不会太严重。
这里必须要注意的是，芯片驱动功率是有限制的，如果太大的Qg，造成驱动芯片过载，则非常棘手。因此建议降低工作频率，总之，在芯片合理数据里面，通过调整参数，扩大一倍驱动，应该不是问题。

只看该作者 · 2019-8-27 08:10

tianxj01 发表于 2019-8-26 17:42
首先，电感的功率要增加一倍
再其次，MOS管肯定得加大，而不是直接2同规格并联，根据Qg，Ron，选择增大一倍 ...

影响到输出电流的大小有哪些呢

只看该作者 · 2019-8-27 08:10

tianxj01 发表于 2019-8-26 17:42
首先，电感的功率要增加一倍
再其次，MOS管肯定得加大，而不是直接2同规格并联，根据Qg，Ron，选择增大一倍 ...

影响到输出电流的大小的因素有哪些呢

凌特LT3789如果要输出12V10A 直接并联MOS就可以？

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