2、正向特性 (1)外加正向电压较小时,二极管呈现的电阻较大,正向电流几乎为零,曲线0A称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5V,锗的死区电压约为0.2V,该电压又称为门坎电压或阈值电压 (2)当外加正向电压超过死区电压时,PN结内电厂几乎被抵消,二极管呈现的电阻很小,正向电流开始增加,进入正向导通区,但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加,正向电流迅速增加,如BC段特性曲线陡直,福安关系近似线性,处于充分导通状态。 (3)二极管导通后两端的正向电压称为正向压降(或管压降),且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V. 3、反向特性 (1)二极管承受反向电压时,加强了PN结内的内电场,二极管呈现很大电阻,此时仅有很小的反向电流。如曲线OD段位反向截止区,此时电流称为反向饱和电流。实际应用中,反向电流越小说明二极管的反向电阻越大,反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十毫安以下,锗二极管则达几百微安,大功率二极管稍大些。 (2)当反向电压增大到一定数值时(图中D点),反向电流急剧加大,进入反向击穿区,D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将管子损坏,因此除稳压管外,二极管的反向电压不能超过击穿电压。
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