反激电路中初级吸收钳位电路的问题

登录 · 发表于 2019-9-16 17:45

常用的有两种；
这是TVS钳位

这是RCD吸收
问题来了，同一个电路，本来用的是TVS钳位，后来改成了RCD吸收，结果输出带载能力下降，输出电压调整率变大了，为什么？

@乞力马扎罗的雪 · 发表于 2019-9-21 14:44

做一个假设，假如你的变压器没有漏感，且反激的反射电压设计值达不到TVS的击穿电压。那么用TVS的钳位电路就不消耗能量，但是用RCD的钳位电路是会消耗能量的。那么是不是采用RCD吸收的带载能力就下降了？

发表于 2019-9-21 15:11

TVS吸收和RCD，有本质区别，一个只导通超过TVS值部分，一个从反激开始，都在导通。
这个区别，表现在实际输出能力上面，区别就来了。
其实你可能还没注意到，很多功率在10W左右的适配器，采用RCD时候，是可以用1N4007低频管的。为什么就不用多说了吧。但是，如果你上面不是CD而是TVS管，则就绝不能用低频管。

发表于 2019-9-22 14:31

学习

我认识一人设计250W的一个电源用的反激，吸收用的无损，具体电路忘了，不过确实对效率有提高

发表于 2021-1-11 23:45

开环的话，只是把副边输出滤波，两种吸收差别不大，
但如果是取样，尤其是以互感耦合直接取样，波形的差别就是反馈信息的差别，这差别足以对负载调整率有显著影响。

发表于 2021-1-12 17:55

漏感承载的，是传不到副边的能量，但是，你整治漏感，却会连带把耦合到副边的能量也整治了！
输出波形不同，负载能力会有一点点差距並不奇怪，但对闭环控制而言，波形的差别就是指令的差别，原本以 TVS 为准的反馈链跟 RCD吸收的输出特性是不适配的。

发表于 2021-1-12 18:09

据说，TVS 的反应速度快至 1飞秒，比三极管的二次击穿还要快，
不过，TVS 的寄生电容有多大，这电路如运行于 10MHz 或更高的频率，这寄生电容是否仍可忽略？！

发表于 2021-1-12 18:27

硬开关的好处是，控制简单(把死区设置好就可以)，佔空比丢失少，
问题是，过电压严重，对脆弱的半导体开关管是极其的威胁，还有震铃(导致 EMI)问题，TVS 可遏制过电压与震铃而不丢失佔空比，
有动手条件者，可以做做实验，把 TVS 箝位改为 ZVS 控制，看看负载调整率如何。

发表于 2021-1-22 20:02

还有，这差异，到底是普遍性抑或个别案例，是不是只出现于闭环而且是电流模式控制？！

发表于 2021-1-25 19:31

好好学习天天向上，看了各位的回复学到了很多。

发表于 2021-5-15 20:52

学习了

发表于 2021-5-21 22:52

问题是，TVS 的用途究竟是甚么，是时刻在线(当稳压管用)还是临危受命？！

发表于 2021-5-26 22:55

软开关不是吸收电路，但跟无损吸收电路一样有缓冲作用。

发表于 2021-5-26 23:07

单管电路也可利用电源充当吸收者，在原边挨着电源线那端多绕几匝。

发表于 2021-9-27 23:01

负载吃的，是原边开路时释放的能量，若然只用二极管续流的话……，
RCD吸收过头了，则当管子关断瞬间就好像稳压管没串上那样，
所谓的 PSR ，並非真个原边调整，但反馈环感知的是磁耦信息，反映原边状况的啊。

[开关电源] 反激电路中初级吸收钳位电路的问题

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