求大神推荐一个驱动24V电机的MOS管电路

发表于 2019-9-20 08:05

求推荐一个利用PWM调节电机转速的MOS管驱动电路，电机额定电压24V，额定功率500W
（最好能和12V，500W的电机通用）

发表于 2019-9-20 09:38

一个50V 100A的MOS管，一个MOS驱动芯片，一个12V驱动电源，MOS必须加30A续流二极管接D极和VCC。必要时候，可能还需要适当的RC吸收回路接DS端。驱动芯片很多，这个规格的管子，一般1-2A驱动电流的就可以正常驱动了。
根据管子导通电阻，算算导通静态消耗，再加开关损耗，这个和你的PWM频率有关，一般，电机PWM不应该超过20KHz，如果是20KHz，按100nS开关速度算，可以用加0.5-1个点输出功率来近似。
二极管发热比较严重，基本上MOS管不工作，二极管就发热，理论上调速占空比50%时候，接近最大，这个二极管至少选择45V30A肖特基，并根据选择的管子的Vf值，算出功耗。

发表于 2019-9-20 10:06

tianxj01 发表于 2019-9-20 09:38
一个50V 100A的MOS管，一个MOS驱动芯片，一个12V驱动电源，MOS必须加30A续流二极管接D极和VCC。必要时候， ...

我这个直流电机用不到那么高的频率，也就30Hz。主要是通过PWM的执行实现电机由全速转动到低速转动的转换，低速也就固定一个速度就行，不需要调节

发表于 2019-9-20 10:12

碎花长裙发表于 2019-9-20 10:06
我这个直流电机用不到那么高的频率，也就30Hz。主要是通过PWM的执行实现电机由全速转动到低速转动的转换 ...

哪怕只是为了控制启动电流，采用的PWM占空比控制软启动，你也不能采用什么几十HZ，而必须按照常规的电机驱动PWM调速来做，只是控制的时候，在你需要的软启动时间内，修改PWM占空比来实现你软启动目的。同时如果只是为了这个目的，则最大占空比应该设置为100%，也就是启动完成后，管子不再进入开关状态。

如果你采用几十赫兹的PWM，你会失去软启动意义，冲击电流照样很大，如果你选择数千Hz的PWM，则启动瞬间的噪音也一样难以忍受，所以，PWM还是得做超音频。

发表于 2019-9-20 10:29

tianxj01 发表于 2019-9-20 10:12
哪怕只是为了控制启动电流，采用的PWM占空比控制软启动，你也不能采用什么几十HZ，而必须按照常规的电机 ...

PWM频率这么高，MOS管发热不会很严重吗？电机的工作电流最低也有30A

发表于 2019-9-20 10:48

碎花长裙发表于 2019-9-20 10:29
PWM频率这么高，MOS管发热不会很严重吗？电机的工作电流最低也有30A

这里主要的损耗还是MOS的导通损耗，而不是开关损耗，考虑是不是很严重，频率不是重点，管子导通电阻才是。电机调速，至少做到16KHz（大多数人已经听不到了）。否则启动瞬间，带来的附加噪音，让你会以为系统有问题。

发表于 2019-9-20 10:58

tianxj01 发表于 2019-9-20 10:48
这里主要的损耗还是MOS的导通损耗，而不是开关损耗，考虑是不是很严重，频率不是重点，管子导通电阻才是 ...

目前来看，我这个MOS管在高频率的PWM信号下，发热很严重，低频率就会好一点

发表于 2019-9-20 11:00

碎花长裙发表于 2019-9-20 10:58
目前来看，我这个MOS管在高频率的PWM信号下，发热很严重，低频率就会好一点 ...

开关损耗，和频率成正比，频率下降，开关损耗当然下降，关键看比例，而且，你的驱动能力，开关速度非常关键，MOS驱动没做好，开关边沿慢，则开关损耗就会非常大，我说的导通电阻是重点，是指开关驱动已经合理的条件下。

发表于 2019-9-20 11:12

tianxj01 发表于 2019-9-20 11:00
开关损耗，和频率成正比，频率下降，开关损耗当然下降，关键看比例，而且，你的驱动能力，开关速度非常关 ...

现在测得开关时上升沿时间500μs，下降沿时间2ms，怎么能让开关边沿更小

发表于 2019-9-20 11:24

一个50V 100A的MOS管，一个MOS驱动芯片，一个12V驱动电源，MOS必须加30A续流二极管接D极和VCC。必要时候，可能还需要适当的RC吸收回路接DS端。驱动芯片很多，这个规格的管子，一般1-2A驱动电流的就可以正常驱动了。
根据管子导通电阻，算算导通静态消耗，再加开关损耗，这个和你的PWM频率有关，一般，电机PWM不应该超过20KHz，如果是20KHz，按100nS开关速度算，可以用加0.5-1个点输出功率来近似。
二极管发热比较严重，基本上MOS管不工作，二极管就发热，理论上调速占空比50%时候，接近最大，这个二极管至少选择45V30A肖特基，并根据选择的管子的Vf值，算出功耗。

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发表于 2019-9-20 11:27

碎花长裙发表于 2019-9-20 11:12
现在测得开关时上升沿时间500μs，下降沿时间2ms，怎么能让开关边沿更小

没看见我说的，需要驱动芯片或者自己做一个驱动线路嘛
我们计算开关损耗，以100nS计算，你这到好，变成500uS-1mS差了多少？5000-1万倍啊
看看论坛关于MOS管驱动的线路吧，多的是。
哪怕单片机PWM输出，一个三极管倒相，电源12V，再一个简单的图腾柱，也不会是这个速度。

登录 · 发表于 2019-9-20 11:32

碎花长裙发表于 2019-9-20 11:12
现在测得开关时上升沿时间500μs，下降沿时间2ms，怎么能让开关边沿更小

没工夫和你多啰嗦了，你按照这个线路去改吧。原理你应该读得懂。

发表于 2019-9-20 12:29

tianxj01 发表于 2019-9-20 11:32
没工夫和你多啰嗦了，你按照这个线路去改吧。原理你应该读得懂。

好的，多谢指点

发表于 2019-9-20 17:23

本帖最后由 xch 于 2019-9-20 17:30 编辑

用个半桥驱动IC，比如 LM5109。驱动两个MOSFET。
省下肖特基和散热片的钱就可以置办全套嫁妆。省下电费，算养老金。

发表于 2019-9-20 23:14

看需求，可以考虑调压方式呗

发表于 2019-9-21 15:13

xch 发表于 2019-9-20 17:23
用个半桥驱动IC，比如 LM5109。驱动两个MOSFET。
省下肖特基和散热片的钱就可以置办全套嫁妆。省下电费，算 ...

请教一下。你这个方案是用上臂MOS代替肖特基吗？

发表于 2019-9-21 17:40

圣骑士by 发表于 2019-9-21 15:13
请教一下。你这个方案是用上臂MOS代替肖特基吗？

你可以这么想。

发表于 2019-9-22 11:08

驱动芯片推荐晶丰明源的BP6901A，自带死区时间ns级

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