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[模拟产品/SiC]

mos管驱动器芯片的供电问题

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Lengcat|  楼主 | 2019-9-21 16:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 Lengcat 于 2019-9-21 16:14 编辑

基本情况: 我使用4个mos管来控制电磁阀,使用tc4426来驱动mos管,4426的输入直连51单片机的io口,输出直连ao4406al的g级。整块电路板使用的24v供电,我用一个7812abv(前缀忘了。。)降压到12v后经过两个10uF电容滤波后为4426供电。开关频率较低,只有10Hz左右。
遇到的问题: 7812烧毁,甚至直接冒烟了,是因为输出电流太大吗?并且我使用优利德的ut61万用表电流档串联在4426的供电上,测到的最小电流是-0.4a,这个正常吗?
一般情况下4426的供电是如何提供的呢?所需的电流值如何估算 ?谢谢

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沙发
huahuagg| | 2019-9-22 22:27 | 只看该作者
手册没有电参数吗

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板凳
CoolSilicon| | 2019-9-23 09:22 | 只看该作者
你是接成H桥样子的么?
会不会是上下桥直通了???一般烧毁都是这个原因的...
MCU的输出,先不接driver芯片, 用示波器先量你的这4个控制输出口, 确保你的逻辑不存在上下桥直通的状况再说.

再检查一下?

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地板
externally| | 2019-9-23 14:54 | 只看该作者
可能是你的控制有问题  直接短路了

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jewmerchant| | 2019-10-1 13:39 | 只看该作者
7812 可能就是真的烧坏了,输入24V,输出 12V,压差 12V,压差*电流就是 LDO 的损耗,转化为热,用手摸下LDO是不是很烫,很烫就是烧坏了。Gate driver 供电可以理解为 12V 通过一对PMOS+NMOS的开关, 给功率 MOSFET Cgate 充放电,具体的电流波形随便找一下就有,或仿真一下就行,我没法发链接。这么高的压差建议使用 DC/DC,因为 MOSFET 驱动是瞬态的大电流,输出 12V 的电容建议大一些。

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jewmerchant| | 2020-7-6 12:18 | 只看该作者
是真的烧坏了,MOSFET driver耗电跟负载相关,虽然你用的频率不高,但因为是电磁阀,属于感性负载,耗电和感性负载电流直接相关。前级耗电很少,主要后级push-pull 两管子耗电。而且 24V>12V 50% 效率,就是50% 发热,电流稍大就烧。建议换成 DC/DC,就可以解决问题。


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7
49500199| | 2020-7-18 16:04 | 只看该作者
上图  才方便 分析。
这么低的开关频率不存在 供电能力不足。

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8
49500199| | 2020-7-18 16:08 | 只看该作者
jewmerchant 发表于 2020-7-6 12:18
是真的烧坏了,MOSFET driver耗电跟负载相关,虽然你用的频率不高,但因为是电磁阀,属于感性负载,耗电和 ...

MOS的驱动电流与三个方面相关联:1,栅极电容充电和放电产生的功耗;2, MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。3,MOSFET 驱动器交越导通(穿通)电流产生的功耗。
主要是第一个功耗!

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antusheng| | 2020-7-20 23:31 | 只看该作者
功率很大吗,用三极管可以驱动吗

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