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三极管和场效应管的区别

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xunavc|  楼主 | 2019-9-27 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  1、场效应管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管。而在信号源电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应用三极管。
  2、场效应管靠多子导电,管中运动的只是一种极性的载流子;三极管既用多子,又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响,因此在环境变化较强烈的场合,采用场效应管比较合适。
  3、场效应管的输入电阻高,适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级。
  4、三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流。场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流。
  5、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。而场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子。
  场效应管AOT460 www.dzsc.com/ic-detail/9_6956.html的参数
  湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
  制造商标准提前期:16 周
  系列:-
  包装:带卷(TR) ,管件:零件状态
  在售:FET类型
  N沟道:技术
  MOSFET(金属氧化物)
  漏源极电压(Vdss):60V
  电流-连续漏极(Id)(25°C时):85A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250?A
  不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):88nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):4560pF@30V栅源电压 Vgss:±20VFET功能:-
  功率耗散(最大值):268W(Tc)
  不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):7.5毫欧@30A,10V工作温度:-55°C~175°C(TJ)安装类型:通孔(THT)
  供应商器件封装:TO-220
  封装/外壳:TO-220-3


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