三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管 [1] （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨地说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管
SI5853DDC-T1-E3 www.dzsc.com/ic-detail/9_508.html规格信息
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 2.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 8VVgs（最大值）：±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：320pF @ 10VFET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）：1.3W（Ta），3.1W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装供应商器件封装：1206-8 ChipFET封装/外壳：8-SMD，扁平引线
技术: Si
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SI54
商标: Vishay / Siliconix
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI5853DDC-E3
单位重量: 85 mg
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