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吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案 半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等，是组成集成电路的基础。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲线，来决定器件的基本参数。微电子器件种类繁多，引脚数量和待测参数各不相同，除此以外，新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。
分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验，帮助工 程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工 艺流程结束后评估器件的优劣。 随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。 半导体分立器件I-V特性测试方案，泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元 （SMU）为核心测试设备，配备使用简便灵活，功能 丰富的CycleStar测试软件，及精准稳定的探针台，为客户提供了可靠易用的解决方案，极大的提高了用户的工作效率。 file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml11304\wps2.jpg 吉时利方案特点： 丰富的内置元器件库，可以根据测试要求选择所需要的待测件类型； 测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，节省了大量的时间； 精准稳定的探针台，针座分辨率可高达0.7um，显微镜放大倍数最高可达x195倍； 最高支持同时操作两台吉时利源表，可以完成三端口器件测试。 测试功能： 二极管特性的测量与分析 极型晶体管BJT特性的测量与分析 MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析 MOS 器件的参数提取 系统结构： 系统主要由一台或两台源精密源测量单元（SMU）、 夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET 器件为例，共需要以下设备： 1、两台吉时利 2450 精密源测量单元 2、四根三同轴电缆 3、夹具或带有三同轴接口的探针台 4、三同轴T型头 5、上位机软件与源测量单元（SMU）的连接方式如下图所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一个接口进行连接。 file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml11304\wps3.jpg 系统连接示意图： file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml11304\wps4.jpg 典型方案配置： file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml11304\wps5.jpg file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml11304\wps6.jpg
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