这种功率场效应晶体管是STMicroelectronics独有的“单一功能”尺寸“条形工艺。结果晶体管显示出极高的封装密度用于低通电阻，崎岖的雪崩特性和不太重要的对齐步骤因此，一个非凡的制造业再现性。
晶体管 ST STP40NF03L www.dzsc.com/ic-detail/9_2499.html 的参数
产品分类：分立半导体产品晶体管
封装/外壳：TO-220-3
FET类型：N沟道
漏源极电压（Vdss）：30V
安装类型：通孔(THT)
湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
品牌：ST/意法
型号：STP40NF03L
类型：其他IC
封装：TO-220AB
批号：10+
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250?A封装__外壳：TO-220-3类别：FET - 单FET特点：逻辑电平门闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
供应商设备封装：TO-220AB
描述：MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
漏极至源极电压333Vdss444：30V
输入电容333Ciss4440a0Vds：770pF @ 25V
包装：管件
系列：STripFET?
电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
功率_最大：70W
制造商：STMicroelectronics
安装类型：通孔
导电方式：耗尽型
封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
材料：MES金属半导体
|
楼主
标题置顶
标题高亮
