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[牛人杂谈]

开漏输出模式

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开漏输出模式
开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般 20mA 以内)。
开漏形式的电路有以下几个特点:
 利用外部电路的驱动能力,减少 IC 内部的驱动。当 IC 内部 MOSFET 导通时,驱动电流是从外部的 VCC 流经上拉电阻,MOSFET到 GND。IC 内部仅需很小的栅极驱动电流。
 一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的,因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时,只能输出低电平,如果需要同时具备输出高电平的功能,则需要接上拉电阻,很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压,便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供 TTL/CMOS 电平输出等。(上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小,所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。)
 开漏模式提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。
 可以将多个开漏输出的引脚,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus 等总线判断总线占用状态的原理。

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沙发
dongnanxibei|  楼主 | 2019-10-21 19:00 | 只看该作者

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板凳
dongnanxibei|  楼主 | 2019-10-21 19:20 | 只看该作者
补充:什么是“线与”?:
在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 VCC,或连接到 NPN 或 NMOS 晶体管的集电极 C 或漏极 D 上, 这些晶体管的发射极 E 或源极 S 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被拉到地线电平上. 因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS),晶体管就会饱和, 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是“或非逻辑”. 如果这个结点后面加一个反相器, 就是“或逻辑”。其实可以简单的理解为:在所有引脚连在一起时,外接一上拉电阻,如果有一个引脚输出为逻辑 0,相当于接地,与之并联的回路“相当于被一根导线短路”,所以外电路逻辑电平便为 0,只有都为高电平时,与的结果才为逻辑 1。开漏输出模式需要设置 Px_MODE[2n+1:2n]为 2

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地板
643757107| | 2019-10-21 22:09 | 只看该作者
开漏的例子很少见,谁有分享分享。

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5
xuanhuanzi| | 2019-10-21 22:59 | 只看该作者
这个模式很少用到。

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6
天灵灵地灵灵| | 2019-10-21 23:52 | 只看该作者
这个可以试试,体验一下。

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7
wahahaheihei| | 2019-10-29 00:31 | 只看该作者
开漏一般什么时候用

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8
xuanhuanzi| | 2019-10-31 12:43 | 只看该作者
开漏模式提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时

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9
xuanhuanzi| | 2019-10-31 12:43 | 只看该作者
延时明显吗,是什么原因造成的。

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10
heisexingqisi| | 2019-10-31 18:48 | 只看该作者
当 IC 内部 MOSFET 导通时,驱动电流是从外部的 VCC 流经上拉电阻,MOSFET到 GND。

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