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[电路/定理]

MOS老是烧掉,求大神指点是哪点存在问题

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楼主
bearlinux|  楼主 | 2019-10-22 11:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 bearlinux 于 2019-10-22 11:31 编辑

IO输出100HZ占空比可调的来控制MOS导通,MOS是选择100A/80V的,为什么电机运行测得电流2A,不到30S钟MOS就烧掉了,反复好几次都是烧掉了,MOS发热特别厉害,请问这个电路设计是不是有问题,求大神指点

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左手笔右手刀 2019-10-23 09:02 回复TA
看波形 

相关帖子

沙发
Jack315| | 2019-10-22 12:40 | 只看该作者
检查 MOS 管上升沿和下降沿过渡时间是否符合设计;
检查导通时 MOS 管导通电阻(DS)压降是否符合设计。

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板凳
lihui567| | 2019-10-22 12:50 | 只看该作者
单片机驱动MOS管的电路中二极管起啥作用,看看是不是MOS管驱动电阻大导致MOS管发热烧坏了

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地板
gx_huang| | 2019-10-22 12:59 | 只看该作者
连波形都不测试,就好像医生只看一眼就给你开药。
MOS管发热厉害,PWM才100Hz,大概率是MOS管驱动不够没有饱和导通,总得给出各点波形呀。

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5
戈卫东| | 2019-10-22 13:15 | 只看该作者
占空比很低的时候烧的吧?
电机速度低反电动势也低,ON期间电流脉冲峰值很高,MOS管承受了太大电压,过热了。

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6
xmar| | 2019-10-22 13:18 | 只看该作者
除楼上所述原因外,输出MOS的耐压80V低了,改为200V以上的MOS管。电感负载MOS管耐压应该大于供电电压的5倍。

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7
1203030117| | 2019-10-22 14:37 | 只看该作者
猜:可能是mos管导通太慢导致发热严重,把R11改成0欧姆试试,

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8
coody| | 2019-10-22 14:50 | 只看该作者
示波器测量G极的驱动信号,看是否过于缓慢。
看导通时DS极的压降是否过大。

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9
一事无成就是我| | 2019-10-22 20:46 | 只看该作者
驱动不足,低脉宽的时候,相当于高频率开关,MOS大部分时间处于放大状态。加大驱动速率

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10
ldch88| | 2019-10-22 23:10 | 只看该作者
可能是MOS截止速度不够快导致。电机电流不太大,可以不用那么大电流的MOS,电流小的MOS栅极电荷也小,R12由10K改为1K试试,MOS截止时间或许可以缩短很多。

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11
xch| | 2019-10-22 23:20 | 只看该作者
什么钱都花了就是舍不得买个专业驱动IC,三脚猫设计的三脚猫驱动驱动电路都敢用。

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12
yuanzhoulu| | 2019-10-23 08:07 | 只看该作者
R8/9改1-2K

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13
左手笔右手刀| | 2019-10-23 09:05 | 只看该作者
测GS,DS开关波形

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14
lfwag| | 2019-10-23 09:14 | 只看该作者
感觉电路设计有问题,当Q3截止时,mos管G端相当于浮空状态吧。考虑到寄生电容,G端电压下降需要一定时间。

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YDCMAN 2019-10-25 10:48 回复TA
Q4,R12加速放电,Q5的GS也为低电平 
15
wuzhenchuang| | 2019-10-23 11:46 | 只看该作者
考虑这几个方面:1MOS管的选择,不能简单的从电压电流考虑,还要考虑功率和温升。
2占空比是比较小,我记得是几K的调。
3驱动电路设计上是有点问题。可以考虑积分电路驱动。
4MOS管的G级导通电压是多少。

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16
shalixi| | 2019-10-23 12:52 | 只看该作者
本帖最后由 shalixi 于 2019-10-23 12:55 编辑

1.开关是否理想。
2.80V有点低,改100V,

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17
oufuqiang| | 2019-10-23 16:03 | 只看该作者
80V耐压不算低了,48V电动车控制器的MOS也就75V的耐压。按理说电流余量也够。如果D3没出错,不至于烧MOS
要不就是电机上并联有电容

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oufuqiang 2019-10-26 17:49 回复TA
@YDCMAN :这不是全桥,但是也不会导致MOSFET耐压需要翻倍的。MOSFET截止,电机电感使得D极电压上弹,弹到并联的续流二极管导通,也就是VCC+0.7V。 
YDCMAN 2019-10-25 10:49 回复TA
电动车是全桥的拓扑 
18
anjf163| | 2019-10-24 13:28 | 只看该作者
这个电路是个自诩高手设计的,问题就出在 D2 和 Q4 上。改成标准图腾柱驱动 MOS 问题就解决了。

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debug_shen 2019-10-24 16:26 回复TA
如果可以的话,麻烦在D2处再加一颗二极管试试 
19
qinlu123| | 2019-10-24 16:13 | 只看该作者
100HZ频率相当低了,就算驱动电路输出波形上升下降不够陡峭也不应该让MOS那么热,我估计是因为某些原因让MOS处于高频开关的状态导致的,很可能是线走的不好

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20
tianxj01| | 2019-10-24 17:11 | 只看该作者
100A80VMOS管,在这里还发热,这就是奇迹了,就这么2A的负载还挂?
虽然驱动这么大的管子,参数设置很不合理,比如,至少把驱动部分所有10K的全部变成1K。比如5551、5401就不是开关管,这里你至少用8550吧。
就这个线路需求而言,2个NPN组成的低阻抗栅极驱动肯定好过现在这个线路,上升沿由上面一个NPN射极跟随输出,下降沿,有下面NPN直接放电,2个管子状态转换由上面一个NPN管BE结反向并联的4148完成。管子少一个,器件少好几个,延迟还少,灌电流能力强。关键是管子可以采购一种NPN开关管,比如8050。
这些都暂时不吐糟了,但是哪怕参数再不合理,至少驱动线路基本原理还是可以正常工作的,所以,问题几乎可以肯定不是出在驱动部分,至少不是出在原理部分。
可能情况:管子安装错误,比如管子干脆BCE顺序都安装错误了,根本没能正确的按照原理图完成,导致管子驱动严重不足,没有示波器,至少可以在50%占空比时候,测量一下管子栅极电压是多少?正确驱动的话,15V50%占空比,则万用表测量出来栅极电压至少7V左右。这时候,哪怕管子不是方波驱动,波动直流,基本上可以将管子全部打开,根本不会烧管子的。
纠缠在你简单一个线路图,而不是实际测量的工作条件,讨论你这个问题,好像已经没有任何实际意义。

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zyj9490 2019-10-24 17:36 回复TA
什么数据也没有,就一张原理图,是不是焊错呢?现在的年轻工程师不努力啊,等别人给他饭吃。而不是接受下解决问题的思路,加数据,查找问题点。 
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