稳压管和MOS管降压电路问题

登录 · 发表于 2019-11-2 09:26

大伙帮我看一下，我这电路能否输出60V/10mA，两个问题
1. R4用5.1M会不会太大了，如果用小静态功耗又太大了
2. MOS的gs之间是否有必要加稳压管和电阻

发表于 2019-11-2 10:10

这么复杂何苦呢？
换个思路，我不就是只需要降压20V吗，而且电流这么小，用一个稳压管直接串联在80V-60V回路，稳压管消耗不过20V*10mA=0.2瓦，一个0.5的稳压管妥妥的。为了防止空载电压过分飘高，60V端加个死负载，当然越大越好。

发表于 2019-11-2 10:11

功耗计算： P约等于=（80-60）*0.010=0.2W。to252封装，热阻通常是52左右，温升=52*0.2=10.5 。能用。
如果用sot-23，热阻取480 温升20*480=96，很烫。

发表于 2019-11-2 10:23

tianxj01 发表于 2019-11-2 10:10
这么复杂何苦呢？
换个思路，我不就是只需要降压20V吗，而且电流这么小，用一个稳压管直接串联在80V-60V回 ...

谢谢，这里第2点，稳压管和电阻不加会不会有问题，有没有可能GS压差到60V

登录 · 发表于 2019-11-2 10:26

本帖最后由叶春勇于 2019-11-2 10:30 编辑

根据datasheet，保证稳压下限53.2 R=80-53.2 /2.2 =12k 上限58.8v R=9.6k。
R的功耗=（80-53.2）*（80-53.2）/12000=0.06w
稳压二极管功耗=53.2*2.2=0.117w 热阻340 温升有40度，应该烫手了。注意焊盘画法
R4=应大于12k

发表于 2019-11-2 10:27

gs之间加稳压二极管，常规手法。没什么问题

发表于 2019-11-2 12:24

R4用5.1M,R8用100k，你算算MOS管的GS电压能有多少？

发表于 2019-11-2 12:27

“有没有可能GS压差到60V”
如果正常工作中，突然短路输出端，有可能有这种状态。

发表于 2019-11-2 12:29

R8可以不要的。

发表于 2019-11-3 09:16

king5555 发表于 2019-11-2 21:55
只是降20V用2楼。大略的穏压用原图，但R4过大，需配合ZD63V所需电流。R8不加。 ...

感觉gs这里有点悬，VGS的电压在某种情况下可能达到60V压差，把GS击穿

发表于 2019-11-3 11:30

本帖最后由 tianxj01 于 2019-11-3 11:32 编辑

king5555 发表于 2019-11-2 21:55
只是降20V用2楼。大略的穏压用原图，但R4过大，需配合ZD63V所需电流。R8不加。 ...

这楼主估计看不懂回复，就只钻在MOS降压方面了，有捷径而且更简单，他没有任何回应，如果说需求不是他说的只是降低20v，而是需要对输出粗略的稳压，这线路讨论才有意义不是？可他也没提出任何别的需求，现在这样的技术太多了，说不清事...................且说哪怕需要稳压，0.2W的功耗，一个NPN，在这比MOS好用多了，精度也高了，至于钻到非MOS不可呢，还复杂的一笔..........

发表于 2019-11-3 14:57

king5555 发表于 2019-11-3 13:11
顺便请教您，还类MOS管的Vgs，有像NPN三极管的Vbe比较恆定吗?比如说三极管Ic相差十倍而Vbe相差约0.3V以下 ...

从全电流范围来说还真没有，这是由基本原理造成的重大区别。
一个的电场效应的器件，没有正比的电场，就没有正比的穿越导通能力。而很明显，从开启电压开始，有效电场是和电压成正比的。
但是在开启电压附近，也就是小电流工作时候，其实因为电流绝对值小，所以，对于栅极电压的变化而言，其值远小于开启电压本身，所以，这时候，你说来个IDS差10倍，Vgs差可能才0.1V而已。所以，在开启电压附近，尤其是电流绝对值比较小时候，其VGS变化的绝对值，甚至可以好于三极管。
一个是BE结电流控制器件，依靠正向流过的BE电流控制（说是诱拐也成）更大的反向偏置结穿透过来而成。而BE结特性决定了在全电流范围，BE结电压只能改变很小比例。

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