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[电路/定理]

MOSFET N /P 控制作电源开关有什么区别？

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lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-17 21:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 控制, 电源开关, 电路, 器件
如图：这两种电路都可以控制输出2.5v电压. 好像选MOSFET N 这种电路器件更少，是不是更好？

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沙发
coody| | 2019-11-18 10:36 | 只看该作者
选MOSFET N 也可以的，但是你得提供一个更高的栅压才行，比如10V。

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板凳
lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 12:49 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-11-18 08:24
选MOS N这种源极跟随的不行，不信去问別人。

谢谢，为什么？按原理好像也讲的通，GS>0.7v MOSFET 导通，2.5V 电压到达S极，是这样理解吗？

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地板
lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 12:51 | 只看该作者
本帖最后由 lyzjhzdz 于 2019-11-18 12:53 编辑
coody 发表于 2019-11-18 10:36
选MOSFET N 也可以的，但是你得提供一个更高的栅压才行，比如10V。

这个MOSFET N 的Vgs (th)=0.7v    范围是正负20V，Vce 最大是30V，你说的栅压大于10V ,不理解？

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5楼
叶春勇| | 2019-11-18 12:52 | 只看该作者
lyzjhzdz 发表于 2019-11-18 12:49
谢谢，为什么？按原理好像也讲的通，GS>0.7v MOSFET 导通，2.5V 电压到达S极，是这样理解吗？ ...

假设2.5Vout有负载，电阻上会产生电压。导致vgs又不导通，最后mos在导通与不导通之间找个一个平衡。就是个电压跟随器

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6楼
lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 12:57 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-11-18 12:52
假设2.5Vout有负载，电阻上会产生电压。导致vgs又不导通，最后mos在导通与不导通之间找个一个平衡。就是 ...

奥，有点明白了，当外部负载有降压，导致VGS电压不确定了。

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7楼
叶春勇| | 2019-11-18 13:05 | 只看该作者
lyzjhzdz 发表于 2019-11-18 12:57
奥，有点明白了，当外部负载有降压，导致VGS电压不确定了。

是的，这个是负反馈电路，理论比较复杂。你可以百度 共漏放大电路，跟共集放大器类似。

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8楼
lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 13:17 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2019-11-18 13:05
是的，这个是负反馈电路，理论比较复杂。你可以百度 共漏放大电路，跟共集放大器类似。 ...

叶老师，谢谢！

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9楼
fzyuan| | 2019-11-18 14:32 | 只看该作者
如果“2.5Vcontrol1”这个口子的电平是5V的，那就可以采用N沟道的MOSFET开关“2.5V”到“2.5VOUT1”的通路。
VBZ3400完全处于“开”“关”状态，哪来的什么“跟随器”！
只要VBZ3400的VGSon远小于 2.5Vcontrol1 - 2.5V 就可以了。

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10楼
fzyuan| | 2019-11-18 14:36 | 只看该作者
本帖最后由 fzyuan 于 2019-11-18 15:13 编辑

上一帖有些失误，还有个条件：“2.5Vcontrol1”后面的两个1k电阻只能剩一个，需要去掉竖着的那一个。

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11楼
tianxj01| | 2019-11-18 14:53 | 只看该作者
NMOS,首先你的假定就很难成立，最起码，栅极电压必须有1V左右，才可能正常导通，而且，低电阻导通，则一般必须为4.5V（那种23封装的比如AO3400）。那么现在你栅极最大供电如果就是2.5V，当输出有电压时候，则源极电压会抬升，该电压同时减去了实际栅极电压。所以，MOS管根本不能良好导通，由于栅极电压至少大于1V，这VDS肯定会有固定压降＞1V。这就是不能简单的选择用N管做这样开关的道理。
当然当负载是Vcc---MOS管漏极时候，则我们就完全可以直接用2.5V去推定栅极，虽然没到最理想开通电压，至少可以保证最基本的开通了。

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12楼
pleee| | 2019-11-18 15:29 | 只看该作者
NMOS多用于高压侧驱动，但是G极需要提供比D极更高的电压。PMOS多用于低压侧驱动，但是同系列的PMOS价格以及导通内阻都要比NMOS高，因此发热量也稍微大一点。

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13楼
debug_shen| | 2019-11-18 15:48 | 只看该作者
pleee 发表于 2019-11-18 15:29
NMOS多用于高压侧驱动，但是G极需要提供比D极更高的电压。PMOS多用于低压侧驱动，但是同系列的PMOS价格以及 ...

看错了，sorry

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14楼
coody| | 2019-11-20 14:35 | 只看该作者
lyzjhzdz 发表于 2019-11-18 12:51
这个MOSFET N 的Vgs (th)=0.7v    范围是正负20V，Vce 最大是30V，你说的栅压大于10V ,不理解？ ...

这个MOSFET N 的Vgs (th)=0.7v，那是开始导通，并不是完全导通。
你要控制2.5V电压，那么，假如Vgs=5V，那你就要一个7.5V的电压做栅压，S极是2.5V。

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