因需要采样的信号在0.01uA-10uA，低压MOS有没有Ids漏电流在nA...

只看该作者 · 2019-11-28 14:16

因需要采样的信号在0.01uA-10uA，低压MOS有没有Ids漏电流在nA或者pA级的？

1万 · 2019-11-28 14:34

采集电流信号为何要求MOS的Ids漏电呢？

只看该作者 · 2019-11-28 14:38

yanwen217 发表于 2019-11-28 14:34
采集电流信号为何要求MOS的Ids漏电呢？

因为他这电流需要从MOS管经过

1万 · 2019-11-28 14:52

本帖最后由 yanwen217 于 2019-11-28 14:55 编辑

cctv19881023 发表于 2019-11-28 14:38
因为他这电流需要从MOS管经过

这么小的电流，可以用串接采样电阻的方式检测，这个电流即使要流过MOS也没有变化，也就不会有什么影响呀
没明白楼主的设计，或者画个图说明下

只看该作者 · 2019-11-28 15:56

没看明白

1万 · 2019-11-28 16:06

泄露电流小于nA或pA
这要求1000M到1000000M的关断电阻。比石头还石头。
功率mos是没戏的，内部有寄生二极管，有漏电流。找找集成电路，例如cd4066，或od门的非门，这些半导体工艺可能内部没有寄生二极管。应该比功率mos要好点。

1万 · 2019-11-28 16:35

这么小的电流，要先进行I/V转换后进行控制和处理

只看该作者 · 2019-11-28 16:43

叶春勇发表于 2019-11-28 16:06
泄露电流小于nA或pA
这要求1000M到1000000M的关断电阻。比石头还石头。
功率mos是没戏的，内部有寄生二极管 ...

指望不上，就是有接近参数的，也没法保证稳定性和一致性。
关键是，我们并不知道他为何需要串联一个开关，在这种微弱信号处理过程中，最忌讳就是加入各种可能带来不确定因素的器件，想想有多少人在微信号处理时候，还是非常简单的就已经折腾的头破血流了，输入那是越简单越干净越好不是？真要切换或者断开、接通，经过信号调理后再处理才是硬道理是吧？

1万 · 2019-11-28 17:52

tianxj01 发表于 2019-11-28 16:43
指望不上，就是有接近参数的，也没法保证稳定性和一致性。
关键是，我们并不知道他为何需要串联一个开关 ...

肺腑之言。搞技术不仅要学的深，还要学的虚。
学的虚，有高度，有视野，可以灵活转换方案。

只看该作者 · 2019-11-29 08:56

本帖最后由 tianxj01 于 2019-11-29 09:01 编辑

叶春勇发表于 2019-11-28 17:52
肺腑之言。搞技术不仅要学的深，还要学的虚。
学的虚，有高度，有视野，可以灵活转换方案。 ...

记得当初为了提高恒温精度，隧选择了桥式加热并直接当做采样的恒温加热措施，康铜丝和铜丝交叉绕制在桥对角，直接做加热并采样，牵涉到共模抑制比，所以电桥上臂阻值远小于上臂，这样共模电压就低很多，同样因为这个原因直接导致精度需要±1uV级别，而当初没能弄到ICL7650斩波稳零运放，用了一个共模抑制能力比较高的通用运放，并借鉴ICL7650做法，进行斩波稳零处理，用的就是CMOS模拟开关，实际画板怎么做噪音干扰都是一塌糊涂，最后，反复调整了个模拟开关在芯片的位置和出入顺序，找到一个开关泄露最小的顺序，并且在输出进一步采用了同步保持噪音屏蔽手段，并且对斩波方波的边沿全部进行速度限制，这才搞定。
的亏放大器和加热环境处在同一个恒温条件，最后完成的实际效果倒是非常不错。所以，输入越简单越好，则不是什么肺腑之言，是血淋淋的教训啊。

只看该作者 · 2019-11-29 09:33

yanwen217 发表于 2019-11-28 14:52
这么小的电流，可以用串接采样电阻的方式检测，这个电流即使要流过MOS也没有变化，也就不会有什么影响呀
...

图不能上传的

只看该作者 · 2019-11-29 09:36

XZL 发表于 2019-11-28 16:35
这么小的电流，要先进行I/V转换后进行控制和处理

用了一个电阻13.3K 0.1%精度的进行了IV转换然后经1K电阻送运放正向端最后是IC内部AD转换

只看该作者 · 2019-11-29 09:38

tianxj01 发表于 2019-11-28 16:43
指望不上，就是有接近参数的，也没法保证稳定性和一致性。
关键是，我们并不知道他为何需要串联一个开关 ...

它这个信号很特殊，是不断的切换0.18V和0.38V施加在反应电极上，

1万 · 2019-11-29 10:26

QWE4562009 发表于 2019-11-29 09:38
它这个信号很特殊，是不断的切换0.18V和0.38V施加在反应电极上，

那就上ADG719这款模拟开关，漏电流10pA，全温度最大值5nA

只看该作者 · 2019-11-29 10:36

我们就是普通的I/V转换电路，250V能测1G电阻。

只看该作者 · 2019-11-29 14:11

不知道对速率有没有要求，ADI的ADG系列和TI的一些低压MUX开关都是pA级别的漏电流，还有一些光耦继电器漏电流也是在1nA以下。

只看该作者 · 2019-11-29 14:25

JFET

只看该作者 · 2019-12-2 08:57

yanwen217 发表于 2019-11-29 10:26
那就上ADG719这款模拟开关，漏电流10pA，全温度最大值5nA

规格书贴出来看看

只看该作者 · 2019-12-2 09:01

06007507 发表于 2019-11-29 14:11
不知道对速率有没有要求，ADI的ADG系列和TI的一些低压MUX开关都是pA级别的漏电流，还有一些光耦继电器漏电 ...

21-bit ENOB ΣΔADC, 32-bit MCU & 64KB Flash，16-bit Timer A, Timer B(X2), Timer C
 16-bit PWM 控制器及訊號捕抓功能----------------------这些说的跟速率有关联不？我看IC的规格书没看到有速率这个参数，还是我没找到呢，烦请告知，谢谢

只看该作者 · 2019-12-2 09:06

qinchang 发表于 2019-11-29 14:25
JFET

（1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。
（2）MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。
（3）JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。
（4）JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。

没提到说漏电流更小啊，还有就是开关的速度也是要考虑的

因需要采样的信号在0.01uA-10uA，低压MOS有没有Ids漏电流在nA...

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