PMOS+NMOS 功率管驱动电路
特性
● 低待机电流
● 电源电压范围：16V～30V
● 开关速度快:<500ns @C Load =1nF
● 可直接驱动PMOS+NMOS功率管
● 集成78L05
● 抗静电能力:2KV（HBM）
● 工作温度范围：-20℃～+80℃
● 封装：提供SOP16 DIP16两种封装
描述
MX8324C功率管驱动电路内部包含 3 路 NMOS功率管驱动电路、3 路 PMOS 功率管驱动电路。电路内部集成了 78L05 三端稳压器，可提供稳定的 5V 输出电源。该电路在工作电压为 24V 时，内部控制电路可使 PMOS功率管开启时的栅极电压为 12V 左右（即 PMOS 功率管的 VGS 电压约为-12V）。另外采用本集成电路可实现 NMOS、PMOS 的快速导通关断，延迟、导通关断时间均在 500ns 以内（负载电容为 1nF 条件下）。
应用
三相电机 PMOS、NMOS 功率管驱动
有兴趣请＋Q 3040013598
规格书资料下载：
PMOS+NMOS功率管驱动电路 - MX8324C（REV1.0）.pdf
(669.48 KB)
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楼主
标题置顶
标题高亮
不同项目不同需求，这个看工程师选择的哈
好高级