[资料分享] STT-MRAM非易失性存储器技术优点

[复制链接]
453|4
 楼主 | 2019-12-17 15:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 英尚微电子 于 2019-12-17 15:27 编辑

到目前为止,设计人员可以使用的存储技术是易变的,这意味着在断电后,存储器中的数据内容会丢失。但是,随着EVERSPIN Technologies推出256Mb STT-MRAM,系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存,但可以提供持久的非易失性数据存储。
20191216100621181.jpg

图1:STT-MRAM

STT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的,不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据,该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。 STT-MRAM的性能类似于DRAM,但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3,它与标准JEDEC DDR3非常相似。将来还将提供ST-DDR4接口,从而带来更高的速度和更大的容量。

STT-MRAM技术的一些优点是:
•非易失性数据
•性能特征类似于DRAM

记忆
•十亿次以上的数据耐久性
•DDR3兼容封装和未来的DDR4

兼容的脚印
•ST-DDR3接口和将来的ST-DDR4接口
•字节读写(无块)

STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM 的二代产品。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ,由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是通过自旋电流实现信息写入的

使用特权

评论回复
 楼主 | 2019-12-17 15:30 | 显示全部楼层
STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM 的二代产品。

使用特权

评论回复
 楼主 | 2019-12-17 15:30 | 显示全部楼层
到目前为止,设计人员可以使用的存储技术是易变的,这意味着在断电后,存储器中的数据内容会丢失。但是,随着EVERSPIN Technologies推出256Mb STT-MRAM,系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存,但可以提供持久的非易失性数据存储。

使用特权

评论回复
 楼主 | 2019-12-17 15:31 | 显示全部楼层
STT-MRAM技术的一些优点是:
•非易失性数据
•性能特征类似于DRAM

记忆
•十亿次以上的数据耐久性
•DDR3兼容封装和未来的DDR4

兼容的脚印
•ST-DDR3接口和将来的ST-DDR4接口
•字节读写(无块)

使用特权

评论回复
| 2019-12-17 15:34 | 显示全部楼层
可以发份Everspin MRAM的详细资料给我吗

使用特权

评论回复
扫描二维码,随时随地手机跟帖
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

我要发帖 投诉建议 创建版块 申请版主

快速回复

您需要登录后才可以回帖
登录 | 注册
高级模式

论坛热帖

关闭

热门推荐上一条 /2 下一条

在线客服 快速回复 返回顶部 返回列表