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一道面试题-------------------------------------突然被问懵了

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楼主
diablo7752|  楼主 | 2008-10-14 11:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
在CMOS电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管. 还是N管,为什么?





我觉得用N管共集电极输出,n管的电子迁移率比较低,所以在饱和区的跨导相比p管低,栅极电压可以更容易地控制漏电流。


不知道我的想法对不?

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沙发
zjp8683463| | 2008-10-14 15:30 | 只看该作者

是MOS制造工艺的问题

现在的工艺,N管的导通电阻要比P管小很多。

那么大电流时N管的低电平要比P管低很多。如果是小电流,无所谓。

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板凳
optictop| | 2008-10-14 15:54 | 只看该作者

学习了

哈哈,学习了!!

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地板
diablo7752|  楼主 | 2008-10-15 08:21 | 只看该作者

大电流时N管的低电平要比P管低很多

这话怎么理解?

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5
zjp8683463| | 2008-10-15 12:01 | 只看该作者

Nmos导通电阻小,所以饱和导通压降小

所以大电流时N管的低电平要比P管低很多 

 

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6
emergtech| | 2008-10-15 13:09 | 只看该作者

学习了

哈哈,学习了!!

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7
diablo7752|  楼主 | 2008-10-15 14:07 | 只看该作者

你说的不错

“Nmos导通电阻小,所以饱和导通压降小

所以大电流时N管的低电平要比P管低很多”



不过我的看法还是用P管共集电极输出,P管的电子迁移率比较低,所以在饱和区的跨导相比N管低,栅极电压可以更容易地控制漏电流。

相对比较高的Vgs控制相对较小的Id,达到“精确控制”的目的

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8
PowerAnts| | 2008-10-15 14:08 | 只看该作者

当然用N管了

P管,栅极电压要比源漏级低一个Vth,你有负电压?

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9
zjp8683463| | 2008-10-15 23:43 | 只看该作者

LZ,MOS工作在开关状态,Id不是有VGS决定的

Id的大小基本取决于限流电阻.

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10
iC921| | 2008-10-16 00:37 | 只看该作者

“传递模拟低电平”

传递模拟 低 电平

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11
diablo7752|  楼主 | 2008-10-16 09:07 | 只看该作者

说的不对 ,欢迎拍砖啊。呵呵

“LZ,MOS工作在开关状态,Id不是有VGS决定的

Id的大小基本取决于限流电阻.”

我不认同这种说法,你说的开关状态是线性状态吧。

首先,MOS管作为压控性元件,Id是一直都由VGS-VTH决定的,你如果怀疑可以看看RAZAVI的模拟集成电路设计。

只是说,MOS工作在线性状态的外在体现,为线性电阻。


“P管,栅极电压要比源漏级低一个Vth,你有负电压?”

我为什么一定要负电压?我只要工作在饱和状态。

如果是P管的话,G D 都接低电平(接地)S极电位最高

Vsg<=Vsd  满足饱和状态

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12
michael_li| | 2008-10-16 09:26 | 只看该作者

IC921请明示阿

这道题也难住我了

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13
michael_li| | 2008-10-16 09:26 | 只看该作者

IC921请明示阿

这道题也难住我了

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14
michael_li| | 2008-10-16 09:26 | 只看该作者

IC921请明示阿

这道题也难住我了

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15
justin8089| | 2008-10-16 11:08 | 只看该作者

学习了~~~~

看看,多学习下,关注中~~~~~~~~

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16
michael_li| | 2008-10-16 15:58 | 只看该作者

我晕 现在我留言怎么都是3个

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17
zhaohe2001| | 2008-10-16 21:05 | 只看该作者

要用N管吧。

我也认为,用P管栅极要有负压才行,栅极电位要低于源极和漏极的

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18
虫虫儿| | 2008-10-16 21:28 | 只看该作者

我用N管

不知道为什么

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19
niho| | 2011-8-10 23:08 | 只看该作者
假设VCC为正电源,应采用NMOS管,G极接电源VCC,输入模拟电平接S极,输出接D极。
因为传输的是模拟低电平,只有保证VCC-Vin>Vth即可保持管子导通,这样就可传输低电平。

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20
corset| | 2011-8-11 08:32 | 只看该作者
P管吧,P管的Rgs比N管大。对微电流信号的采集效果好。

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