一道面试题-------------------------------------突然被问懵了

发表于 2008-10-14 11:40

在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管. 还是N管，为什么？ 我觉得用N管共集电极输出，n管的电子迁移率比较低，所以在饱和区的跨导相比p管低，栅极电压可以更容易地控制漏电流。 不知道我的想法对不？

发表于 2008-10-14 15:30

现在的工艺，N管的导通电阻要比P管小很多。 那么大电流时N管的低电平要比P管低很多。如果是小电流，无所谓。

发表于 2008-10-14 15:54

哈哈，学习了！！

发表于 2008-10-15 08:21

这话怎么理解？

发表于 2008-10-15 12:01

所以大电流时N管的低电平要比P管低很多

发表于 2008-10-15 13:09

哈哈，学习了！！

发表于 2008-10-15 14:07

“Nmos导通电阻小，所以饱和导通压降小 所以大电流时N管的低电平要比P管低很多” 不过我的看法还是用P管共集电极输出，P管的电子迁移率比较低，所以在饱和区的跨导相比N管低，栅极电压可以更容易地控制漏电流。 相对比较高的Vgs控制相对较小的Id，达到“精确控制”的目的

发表于 2008-10-15 14:08

P管，栅极电压要比源漏级低一个Vth，你有负电压？

发表于 2008-10-15 23:43

Id的大小基本取决于限流电阻.

发表于 2008-10-16 00:37

传递模拟　低　电平

发表于 2008-10-16 09:07

“LZ,MOS工作在开关状态,Id不是有VGS决定的 Id的大小基本取决于限流电阻.” 我不认同这种说法，你说的开关状态是线性状态吧。 首先，MOS管作为压控性元件，Id是一直都由VGS-VTH决定的，你如果怀疑可以看看RAZAVI的模拟集成电路设计。 只是说，MOS工作在线性状态的外在体现，为线性电阻。 “P管，栅极电压要比源漏级低一个Vth，你有负电压？” 我为什么一定要负电压？我只要工作在饱和状态。 如果是P管的话，G D 都接低电平（接地）S极电位最高 Vsg&lt=Vsd  满足饱和状态

发表于 2008-10-16 09:26

这道题也难住我了

发表于 2008-10-16 09:26

这道题也难住我了

发表于 2008-10-16 09:26

这道题也难住我了

发表于 2008-10-16 11:08

看看，多学习下，关注中~~~~~~~~

发表于 2008-10-16 15:58

发表于 2008-10-16 21:05

我也认为，用P管栅极要有负压才行，栅极电位要低于源极和漏极的

发表于 2008-10-16 21:28

不知道为什么

发表于 2011-8-10 23:08

假设VCC为正电源，应采用NMOS管，G极接电源VCC，输入模拟电平接S极，输出接D极。
因为传输的是模拟低电平，只有保证VCC-Vin>Vth即可保持管子导通，这样就可传输低电平。

发表于 2011-8-11 08:32

P管吧，P管的Rgs比N管大。对微电流信号的采集效果好。

一道面试题-------------------------------------突然被问懵了

相关帖子

是MOS制造工艺的问题

学习了

大电流时N管的低电平要比P管低很多

Nmos导通电阻小，所以饱和导通压降小

学习了

你说的不错

当然用N管了

LZ,MOS工作在开关状态,Id不是有VGS决定的

“传递模拟低电平”

说的不对 ，欢迎拍砖啊。呵呵

IC921请明示阿

IC921请明示阿

IC921请明示阿

学习了~~~~

我晕 现在我留言怎么都是3个

要用N管吧。

我用N管

浏览过的版块

核心会员奖章

坚毅之洋流

技术导师奖章

十世金身

终身成就奖章

缘定三生

技术奇才奖章

突出贡献奖章

沉静之湖泊

七世轮回

精华达人奖章

湍急之河流

说的不对，欢迎拍砖啊。呵呵

我晕现在我留言怎么都是3个