看了全部的讨论内容，我个人觉得应该是硬件设计问题。首先，高低压未做隔离。其次，单片机上电状态可能未在硬件设计时进行考虑。单片机复位后I/O通常是高阻输入，如果输出未做对地下拉的话，I/O口在工况环境恶略的情况下，有一定几率在上电瞬间因为干扰呈现一种不确定的状态（工频干扰、电火花干扰等），这时未隔离直连MOS驱动电路很可能会误触发电磁铁动作（光电隔离后，干扰源基本无法驱动光耦动作）。再次，MOS管的选型应该也有问题，几遍误动作，MOS管导通也不应该烧管子，除非拉弧。MOS管应确保VDSS达到高压实际电压的2~2.5倍，ID也应该达到电磁铁额定电流1.2~1.5倍，还要看MOS管的IDM这个参数能不能达到电磁铁额定电流的5~7倍。
我说的这些是我个人在工作中的一些设计习惯，不一定对，仅做参考。 |
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