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[电子元器件]

低压MOS管体二极管反向击穿电压

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楼主
QWE4562009|  楼主 | 2020-1-15 17:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 二极管, 低压, 击穿电压
低压MOS管体二极管反向击穿电压

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沙发
戈卫东| | 2020-1-15 17:57 | 只看该作者
MOS管的DATASHEET都会给出一个VDSS值，这也是体二极管的反向电压极限。

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板凳
戈卫东| | 2020-1-15 20:22 | 只看该作者
MOS管其实就一个PN结，就是源极漏极和基底之间有PN结，而源极和基底是连起来的。

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地板
QWE4562009|  楼主 | 2020-1-16 11:45 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2020-1-15 17:57
MOS管的DATASHEET都会给出一个VDSS值，这也是体二极管的反向电压极限。

G的控制电压会串到S或者D吗  

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5楼
QWE4562009|  楼主 | 2020-1-16 11:49 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2020-1-15 20:22
MOS管其实就一个PN结，就是源极漏极和基底之间有PN结，而源极和基底是连起来的。 ...

V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别

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6楼
戈卫东| | 2020-1-16 23:01 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2020-1-16 11:49
V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别

是一个东西吧？

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7楼
szzw2004| | 2020-1-17 07:31 | 只看该作者
关注学习！

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