低压MOS管体二极管反向击穿电压

登录 · 发表于 2020-1-15 17:10

低压MOS管体二极管反向击穿电压

发表于 2020-1-15 17:57

MOS管的DATASHEET都会给出一个VDSS值，这也是体二极管的反向电压极限。

发表于 2020-1-15 20:22

MOS管其实就一个PN结，就是源极漏极和基底之间有PN结，而源极和基底是连起来的。

发表于 2020-1-16 11:45

戈卫东发表于 2020-1-15 17:57
MOS管的DATASHEET都会给出一个VDSS值，这也是体二极管的反向电压极限。

G的控制电压会串到S或者D吗

发表于 2020-1-16 11:49

戈卫东发表于 2020-1-15 20:22
MOS管其实就一个PN结，就是源极漏极和基底之间有PN结，而源极和基底是连起来的。 ...

V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别

发表于 2020-1-16 23:01

QWE4562009 发表于 2020-1-16 11:49
V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别

是一个东西吧？

发表于 2020-1-17 07:31

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[电子元器件] 低压MOS管体二极管反向击穿电压