[技术PK大擂台] 如何控制两路电源输出

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 楼主 | 2020-1-23 21:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位大神:有一个应用场景是这样的:设备平时由DC60V来供电,当DC60V电压较低时,由一组备用电池供电。这样的系统怎么来控制外部DC60V和电池供电的切换?工作电流有80A。控制两路电源该怎么做?由于体积限制,不能采用接触器来控制通断。请大神推荐一下控制方案?

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| 2020-1-24 13:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 tyw 于 2020-1-24 15:21 编辑

用2只二极管即可,注意散热.

00.jpg

https://item.taobao.com/item.htm ... &abbucket=11#detail

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| 2020-1-24 15:52 | 显示全部楼层
不能用触点型开关的话,大电流场景最好用功率MOS管来做开关,注意耐压要够,导通内阻越低越好。

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| 2020-1-24 20:39 | 显示全部楼层
有偿的吗?

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 楼主 | 2020-1-25 20:17 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2020-1-24 15:52
不能用触点型开关的话,大电流场景最好用功率MOS管来做开关,注意耐压要够,导通内阻越低越好。 ...

你好。MOS控制通断是首选的途径,但是用啥来驱动MOS呢。60V,80A,功率挺大的。

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 楼主 | 2020-1-25 20:18 | 显示全部楼层
tyw 发表于 2020-1-24 13:31
用2只二极管即可,注意散热.

你好。二极管是简单稳定的措施。但是60V,80A,散热是个很大的问题。

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tyw 2020-1-26 12:04 回复TA
@wh6ic :哈哈,少累,经验主义了,7~80瓦得考虑风冷了,直接散热体积较大.或是换mos管. 
wh6ic 2020-1-26 11:59 回复TA
@tyw :T叔这反应太神速了,这个鬼疫情,大家都做了无聊的宅, 哈哈哈 
wh6ic 2020-1-26 11:53 回复TA
@tyw :哈哈,T叔定式思维了, 就楼上的二极管,常温下30A时导通压降就0.6V,60A时0.9V以上了,不是0.2V 
tyw 2020-1-25 20:27 回复TA
肖特基导通压降0.2v左右,80A时16W功耗,用大点散热片没问题. 
| 2020-1-25 20:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 tyw 于 2020-1-25 20:53 编辑
hyseyic 发表于 2020-1-25 20:18
你好。二极管是简单稳定的措施。但是60V,80A,散热是个很大的问题。

散热设计手册 41页 1.1M.pdf (1.11 MB, 下载次数: 8)

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 楼主 | 2020-1-26 10:42 | 显示全部楼层
tyw 发表于 2020-1-25 20:29
  • 〓◆ 电子产品散热设计相关专辑 33册 237M ◆〓
  • 〓◆ 长虹功率晶体管散热器样本 69页 31.5M ◆〓

  • 谢谢您的分享。散热设计是一门学问。好好学习了。

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     楼主 | 2020-1-26 10:57 | 显示全部楼层
    tyw 发表于 2020-1-24 13:31
    用2只二极管即可,注意散热.

    请问安森美或者IXYS这些半导体厂商有类似大功率二极管不?推荐一下。

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    lihui567 2020-1-27 08:24 回复TA
    这么大的电流,用二极管肯定不行, 
    | 2020-1-26 11:20 | 显示全部楼层
    本帖最后由 tyw 于 2020-1-26 11:29 编辑
    hyseyic 发表于 2020-1-26 10:57
    请问安森美或者IXYS这些半导体厂商有类似大功率二极管不?推荐一下。

    开关电源设计主要元件选择指南 安森美 333页 9.3M.pdf (9.16 MB, 下载次数: 6)

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    | 2020-1-26 19:19 | 显示全部楼层
    hyseyic 发表于 2020-1-25 20:17
    你好。MOS控制通断是首选的途径,但是用啥来驱动MOS呢。60V,80A,功率挺大的。 ...

    MOS管是电压型驱动,本身功率不管多大,驱动只要满足电压门限即可,无所谓驱动功率。

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     楼主 | 2020-1-26 21:10 | 显示全部楼层

    多谢多谢。您的回复太高效了。

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     楼主 | 2020-1-26 21:12 | 显示全部楼层
    chunyang 发表于 2020-1-26 19:19
    MOS管是电压型驱动,本身功率不管多大,驱动只要满足电压门限即可,无所谓驱动功率。 ...

    如果NMOS在正极,驱动电压需要高于60V吧。用PMOS会好控制些不?

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    chunyang 2020-1-28 23:57 回复TA
    接在电源侧用PMOS,低电平有效,但关断需要高压。用NMOS则接在地回路侧,高电平有效,且无需高压,满足饱和导通条件即可。 
    wh6ic 2020-1-26 22:58 回复TA
    NMOS 就放在负极嘛。 一定要在正极,驱动需要高于60V若干 PMOS大电流的贵不少,用的很少,也难买到 
    | 2020-1-27 08:37 | 显示全部楼层
    这个还是建议用mos管来控制电源输出,加散热器是必须的,

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     楼主 | 2020-1-27 21:21 | 显示全部楼层
    lihui567 发表于 2020-1-27 08:37
    这个还是建议用mos管来控制电源输出,加散热器是必须的,

    嗯。如果用MOS来控制,NMOS的驱动怎么实现呢?用芯片还是搭建模拟电路,如果用PMOS,会好点不?之前用过LTC4359这个搭建的背靠背的NMOS,一个MOS当负载开关,另一个MOS当理想二极管,运行起来,负载开关那个NMOS在芯片SHUT关闭时,MOS烧毁的一个接一个的。

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    | 2020-1-28 07:56 | 显示全部楼层
    hyseyic 发表于 2020-1-27 21:21
    嗯。如果用MOS来控制,NMOS的驱动怎么实现呢?用芯片还是搭建模拟电路,如果用PMOS,会好点不?之前用过LT ...

    nmos驱动的话栅极电压不好处理,选用大功率PMOS散热器的方式就可以

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     楼主 | 2020-1-29 20:00 | 显示全部楼层
    lihui567 发表于 2020-1-28 07:56
    nmos驱动的话栅极电压不好处理,选用大功率PMOS散热器的方式就可以

    这是LTC4359的一个芯片方案,目前我搭建了一个测试板。前面的NOMS的作用是充当一个负载开关,后面的NOMS是充当一个理想二极管。在测试过程中,首先测试只有一路接入时,输入DC24V,负载使用一个电阻,负载电流5A左右。启动放电后,控制芯片的第5脚,拉低芯片的第5脚,让芯片进入SHUTDOWM模式,目的是关闭NMOS.在这个过程中,前面的NMOS烧毁了。看到的现象是前面的NMOS冒烟了。
    NMOS的耐压是足够了。应该不是BVDSS造成的。
    请分析一下是哪些因素引起的呢?

    LTC4359

    LTC4359

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    | 2020-1-30 07:49 | 显示全部楼层
    hyseyic 发表于 2020-1-29 20:00
    这是LTC4359的一个芯片方案,目前我搭建了一个测试板。前面的NOMS的作用是充当一个负载开关,后面的NOMS ...

    这个芯片没用过,应该是gate引脚升压输出,nmos打开了,你是在关闭mos时,nmos冒烟?

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    | 2020-1-30 12:34 | 显示全部楼层

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     楼主 | 2020-1-30 13:46 | 显示全部楼层

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