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[电子元器件]

MOS管Vgs问题

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楼主
anchises|  楼主 | 2020-2-3 22:44 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, AC, 开关, 控制, RF
在PMOS管使用过程中，如图所示，以PMOS IRF5305PbF应用为例，Vdds=-55V，Vgs=±20V，若以以下电路控制24V开关，Vgs=24V，那么应该是PMOS管子烧坏，但是查询过程中依旧有人这么使用，这个Vgs如何理解？若以IRF5305PbF应用又如何控制50V电源开关？



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沙发
戈卫东| | 2020-2-4 12:54 | 只看该作者
这是错误的范例。

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板凳
戈卫东| | 2020-2-4 12:55 | 只看该作者
55V的管子控制50V的电源开关，太极限了，可靠性差，不建议这么用。
应该选耐压高一些的。

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地板
gx_huang| | 2020-2-4 13:28 | 只看该作者
R2/Q2之间串联一个电阻分压，同时R2上最好可以并联稳压二极管限压，VGS就减少了。

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5楼
airwill| | 2020-2-4 14:53 | 只看该作者
这是比较有风险的,  其实网上有很多类似带风险的参考图纸,  用者要识别.

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6楼
hyseyic| | 2020-2-4 16:59 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2020-2-4 13:28
R2/Q2之间串联一个电阻分压，同时R2上最好可以并联稳压二极管限压，VGS就减少了。 ...

有道理，串一个电阻，让GS电压在VDD变化范围内，使PMOS都能可靠导通和关闭。

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7楼
hyseyic| | 2020-2-4 17:00 | 只看该作者
如果负载电流比较大。用PMOS控制不太好吧。

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评论
anchises 2020-2-6 23:54 回复TA
其实……我只是想讨论一下Vgs的影响 
8楼
airwill| | 2020-2-9 09:30 | 只看该作者
这个电路优点是简单,  当然还有改进的空间.

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9楼
airwill| | 2020-2-9 09:30 | 只看该作者
这个电路优点是简单,  当然还有改进的空间.

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10楼
tianxj01| | 2020-2-11 08:52 | 只看该作者
作为原理，可以。
作为实际，问题很大。
VGS、VDS是绝对限制性参数
必须有效工作在安全范围。

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11楼
yanwen217| | 2020-2-16 14:57 | 只看该作者
不论哪种器件，规格书给出的参数都是有余量的，应用上超规格使用，并不是必然出问题，只是批量应用下出问题的几率会高很多！

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12楼
vincent.liu| | 2021-3-2 13:27 | 只看该作者
模拟电子设计导论中提到一个观点是烧毁是一个热积累过程，关键在于热积累过程，所以达到或超过临界值不一定会马上烧毁，比如散热，频率和占空比都是因素。

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13楼
叶春勇| | 2021-3-2 14:48 | 只看该作者
分个压，加个稳压二极管

pmos_sw.JPG (36.83 KB )

pmos_sw.JPG

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14楼
zyj9490| | 2021-3-2 15:34 | 只看该作者
VGS是跟负载电流大小有关，负载电流大，需要更大的VGS，开启与关闭必须要有个电压差，对可靠性更好。关闭时远低于 VGSOFF.开启时远高于VGSOFF,此电路适用于低频电路，

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