[电子元器件] MOS管Vgs问题

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 楼主 | 2020-2-3 22:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
在PMOS管使用过程中,如图所示,以PMOS IRF5305PbF应用为例,Vdds=-55V,Vgs=±20V,若以以下电路控制24V开关,Vgs=24V,那么应该是PMOS管子烧坏,但是查询过程中依旧有人这么使用,这个Vgs如何理解?若以IRF5305PbF应用又如何控制50V电源开关?

PMOS开关例子

PMOS开关例子

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| 2020-2-4 12:54 | 显示全部楼层
这是错误的范例。

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| 2020-2-4 12:55 | 显示全部楼层
55V的管子控制50V的电源开关,太极限了,可靠性差,不建议这么用。
应该选耐压高一些的。

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戈卫东 2020-2-7 11:13 回复TA
@anchises :增加保护元件,制程会变得复杂,提高了成本,降低了灵活性。通用元件是不会这么做的。 
戈卫东 2020-2-7 11:00 回复TA
@anchises :大多数管子是没有内置的栅极保护的。 
anchises 2020-2-6 23:48 回复TA
感谢您的评论,是的,一般使用都会预留50%的额度,之前在网络查找过电路,觉得使用不对,但是关于Vgs的说法参差不齐,有的人说不用管,有的人说内部有保护,所以以此贴举例问询。 
| 2020-2-4 13:28 | 显示全部楼层
R2/Q2之间串联一个电阻分压,同时R2上最好可以并联稳压二极管限压,VGS就减少了。

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anchises 2020-2-6 23:49 回复TA
感谢您的回复 
| 2020-2-4 14:53 | 显示全部楼层
这是比较有风险的,  其实网上有很多类似带风险的参考图纸,  用者要识别.

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anchises 2020-2-6 23:53 回复TA
谢谢提醒,这个图用起来肯定烧管子。 
| 2020-2-4 16:59 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2020-2-4 13:28
R2/Q2之间串联一个电阻分压,同时R2上最好可以并联稳压二极管限压,VGS就减少了。 ...

有道理,串一个电阻,让GS电压在VDD变化范围内,使PMOS都能可靠导通和关闭。

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| 2020-2-4 17:00 | 显示全部楼层
如果负载电流比较大。用PMOS控制不太好吧。

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anchises 2020-2-6 23:54 回复TA
其实……我只是想讨论一下Vgs的影响 
| 2020-2-9 09:30 | 显示全部楼层
这个电路优点是简单,  当然还有改进的空间.

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| 2020-2-9 09:30 | 显示全部楼层
这个电路优点是简单,  当然还有改进的空间.

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| 2020-2-11 08:52 | 显示全部楼层
作为原理,可以。
作为实际,问题很大。
VGS、VDS是绝对限制性参数
必须有效工作在安全范围。

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| 2020-2-16 14:57 | 显示全部楼层
不论哪种器件,规格书给出的参数都是有余量的,应用上超规格使用,并不是必然出问题,只是批量应用下出问题的几率会高很多!

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