有关启动电容的作用解释?

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 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 11:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
一般的DC/DC芯片会有一个启动电容,如图Cboot,该电容的作用及产生该作用的原理,有哪位大侠帮忙解释下?

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klchang 发表于 2011-12-1 12:32 | 显示全部楼层
Cboot电容作用,摘自LM2841数据手册

LM2841数据手册如下

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xygyszb 发表于 2011-12-1 14:32 | 显示全部楼层
自举电容
保证内部开关的迅速开关
 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 14:38 | 显示全部楼层
回2楼,PDF上的说明我也看了,作用如3楼所说是保证内部开关迅速动作和较低的导通电阻,但从便于理解的角度,都没有详细说明这个原理,所以希望有了解的可以帮忙说明下!
ShakaLeo 发表于 2011-12-1 15:12 | 显示全部楼层
芯片的SW脚内部是一个NMOS的源极,也就是这个NMOS起到开关管的作用。在开关管关闭的时候,SW脚是低电平,芯片内部会对这个自举电容充电,使得CB脚和SW脚有一个固定的压差。在开关管打开的过程中,SW脚的电压是升高的,这个起开关作用的NMOS工作在可变电阻区,Rds受Vgs的控制,Vgs越大,Rds越小,因为自举电容两端的电压不能突变,所以在SW脚电压升高的过程中CB脚始终会高于SW脚一个固定的电压,这个电压就用于提供Vgs。这个自举电容在Vin和Vout相差不是太大的时候尤其重要。

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 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 15:29 | 显示全部楼层
非常感谢楼上的详细解释。
 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 15:56 | 显示全部楼层
按照5楼的解释在思考,现在有这样的疑问,CB管脚内部是连接到NMOS管的哪里的,我猜测是连到G极但应该不是直接连接的,还有就是当VIN与VOUT接近时,按照PDF要求该开启电容是要求取值大一点,这样可以保证VGS较大,从而使可变电阻区的等效电阻较小,但C取大后,是如何保证C两端电压会更高,按照RC充电的话,C越大,应该是充电时间越久,相同时间得到的电压会更低!
ederdan 发表于 2011-12-1 19:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 ederdan 于 2011-12-1 19:48 编辑

CB确实不直接连接到G极,参考系file:///C:/DOCUME%7E1/ADMINI%7E1/LOCALS%7E1/Temp/moz-screenshot.png统框图:

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 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 20:02 | 显示全部楼层
请教8楼,按照系统框图来说,开关管是耗尽型P沟道MOS管,里面还有个场效应管驱动,不是很明白具体的工作原理了,按照5楼的说法,对照此图还是比较难理解的
ShakaLeo 发表于 2011-12-1 20:49 | 显示全部楼层
回楼上,开关管那种画法有点像PMOS,箭头冲外,但跟PMOS的画法不一样,这个应该是增强型NMOS。
开关管的栅极是由一个驱动器(FET DRIVER)驱动的,这个驱动器电源正极是CB脚,电源地是SW脚,在SW脚升高后,驱动器仍能够输出高于SW脚的高电平,使开关管保持一定的VGS。
选择大一些的电容并不是要提高电容上的电压。在驱动开关管打开的过程中,自举电容是个放电的过程,选容量大一点的电容是为了放电时电压不会下降太多。实际上不管是选大一些的电容还是小一些的电容,由于充电电流要大于放电电流,电容很快会被充满,只是随着开关管的打开和关闭会有所波动,电容越大,这种波动越小。
ederdan 发表于 2011-12-1 22:14 | 显示全部楼层

RE: 有关启动电容的作用解释?

可能画法不一样.
若真是耗尽型P沟道MOS管,则SW为高电位,说不通了。

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 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 22:24 | 显示全部楼层
回10楼,把开关管当作增强型NMOS管处理,则该MOS管D极接输入,S极接SW,G极接驱动器输出,当VGS大于开启电压时,MOS管导通,反之则关闭,在这里CBOOT电容是如何影响到VGS的呢?个人猜测BUCKDRIVE信号是一定占空比的脉冲信号,该信号作为MOS驱动器的时能信号,在使能信号有效时,驱动器输出电平等于CB脚电压,这样好像可以理解你在10楼的解释,不知道我这样的猜测对不?
 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 22:28 | 显示全部楼层
回11楼,系统框图可能偏向于示意,根据你们的解释,我个人也觉得把该MOS管当作NMOS管更好!
ShakaLeo 发表于 2011-12-1 22:40 | 显示全部楼层
8楼图中的开关管几乎可以肯定是NMOS,刚才看了一下其他一些芯片的手册,这么画的都是NMOS,注意他那个向外的箭头是画在源极上,这个跟PMOS的那个向外的箭头是不一样的,倒是跟NPN的BJT类似。
回12楼:“个人猜测BUCKDRIVE信号是一定占空比的脉冲信号”,这么猜是对的,但是既然是猜,就说明你对开关电源的工作原理不是太清楚,建议找相关资料补习一下。
 楼主| yhf311 发表于 2011-12-1 22:48 | 显示全部楼层
嗯,个人基础比较差,原来也是看过相关的资料,一直的理解是脉冲信号是直接驱动开关管的,不知道中间还多一道工序,把脉冲信号当作驱动器的使能信号,再有驱动器去控制开关管,谢谢楼上SHAKALEO和EDERDAN两位的细心解释,使我的的理解又深入了一点。
batsong 发表于 2011-12-2 08:32 | 显示全部楼层
应该是Nmos,咱们的标准画法箭头指的是衬底的PN结方向
alnjby 发表于 2011-12-2 08:34 | 显示全部楼层
在开关管打开的过程中,SW脚的电压是升高的,这个起开关作用的NMOS工作在可变电阻区,Rds受Vgs的控制,Vgs越大,Rds越小,因为自举电容两端的电压不能突变,所以在SW脚电压升高的过程中CB脚始终会高于SW脚一个固定的电压,这个电压就用于提供Vgs







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馒头2008 发表于 2011-12-2 10:07 | 显示全部楼层
各种学习~~
st.you 发表于 2011-12-2 13:56 | 显示全部楼层
本帖最后由 st.you 于 2011-12-2 13:58 编辑


这个是L4970A,电路的左半部分是单片BUCK电源芯片的内部图。

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 楼主| yhf311 发表于 2011-12-2 14:04 | 显示全部楼层
感谢楼上提供的资料,现在让我自己分析整个开关过程,还是不行,或许对于大部分工程师来说,只需要了解作用,具体的原理也不必深究吧!
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