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开关器件选择

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birdie2003|  楼主 | 2008-12-11 20:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
小弟设计了一个控制系统,这个控制电路对功耗要求很高.原先的设计如下:
利用低功耗比较器max917输出正负2.5V的方波驱动两个mosfet开关(负载),一个N型一个P型,当电压为正2.5V使开启N管,当电压为负2.5V使开启P管.N型和P型的管的栅极电容都比较,看数据手册上栅极和源极最低只须1V就可以开启.
N型和P型开关的信号为交流耐压50V,电流10mA左右的信号.
但是发现电路的功耗为0.322uW,希望降低到0.1uW左右.
不知道可否不用mosfet而用三极管,可控硅或者其他器件来做开关器件来降低功耗.因为目前的电路中的功耗主要来自于这两个mosfet的关断(负载)
请牛人指点

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沙发
chunyang| | 2008-12-11 21:52 | 只看该作者

不可用双极型晶体管或可控硅,它们都是电流型器件,功耗

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板凳
liudewei| | 2008-12-12 10:59 | 只看该作者

你的mos管的Ron是多少?你的控制驱动波形是否边沿陡峭?

Ron越小越好,整个mos管的损耗由导通、泄漏损耗、开关损耗、驱动充放电组成,mos管开通损耗=0.01*0.01*Ron,泄漏损耗=U*I泄漏,开关损耗由驱动波形的上升下降速度、开关频率决定。

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地板
xwj| | 2008-12-12 11:06 | 只看该作者

这个功耗... 已经够小的了.

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warmil| | 2008-12-13 21:10 | 只看该作者

开关电源?

你做的是开关电源吗?

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6
awey| | 2008-12-14 00:13 | 只看该作者

MOS管静态控制几乎不消耗功率

主要是开关时,栅极电容的充放电需要耗电。
如果开关频率较高,选用栅极电容较小的MOS管。

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7
birdie2003|  楼主 | 2008-12-15 09:44 | 只看该作者

多谢各位

小弟不是做开关电源
而是一个课题利用压电材料做能量回收的,即振动能转化成电能,所以对电路的功耗要求比较高.真是谢谢大家的指点.
我也认为是开关时,栅极电容的充放电需要耗电。
但是很奇怪的是,我又作了一快电路
还是利用低功耗比较器max917输出正负2.5V的方波驱mosfet开关(负载),这个电路利用两个低功耗比较器输出两路信号驱动两个P型mosfet,当电压为正2.5V关闭P管,当电压为负2.5V使开启P管.P型的管的栅极电容比小,和原先的电路是一个型号.
P型开关的信号与原先的信号相同,为交流耐压50V,电流10mA左右的正弦信号.
但是发现电路的功耗为0.750uW,比原来的电路消耗还要大.不知道是什么原因,难道max917输出正2.5V时对p型mosfet的截止消耗功耗比较大.

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birdie2003|  楼主 | 2008-12-15 09:46 | 只看该作者

抱歉

抱歉,打错了电路功耗为0.750mW

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E007| | 2008-12-15 22:40 | 只看该作者

看看这样行不行

你没测一下不让运放输出方波,固定输出在2.5V或-2.5V时的静态电流,如果能达到要求的话,加电阻,再加二极管或三极管或其它什么能实现P管栅极不低于1.5V,N管栅压不高于-1.5V(这是根据你说的1V栅源电压即可开启导通而定的),这样可以大大降低翻转时P管和N管同时导通的时间,也就降低了电流消耗.

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tengfei123| | 2009-3-21 14:16 | 只看该作者

这样的功耗已经很小了

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