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2-10节高压大电流充电管理芯片HB6296应用指南

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2772505037|  楼主 | 2020-3-2 15:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式


HB6296应用指南
一:电流检测电阻设法靠近HB6296,检测电阻上电压信号很弱,为减少干扰,必须靠近HB6296,应用图上对应的R17.
二:Regn上电容必须靠近HB6296,越近越好。
三:这款ic是经典的降压电路,电感计算公式可以参考。
四:电感计算公式:L=Vin-Vbat*Ton/(Imax/D)。其中D是占空比,Ton=T*DL=(Vin-Vbat)*TT是开关周期,Vbat3.7*n节。HB6296的开关频率是变的,电压高是350K,(T=2.8us)。电压低是1.8us。对4节锂电,输入电压25V,输出电流5A。则L=25-14.8*1.8us/5A=3.6uH
五:散热。对于低压(小于35V),我测试的结果HB6296不需要加散热片,P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身带散热片,外面可以不加。如果驱动2个上管mosfetIcc会上升到20ma,这时P=35-5.4*20ma=600mw,应该考虑加散热片。 Mosfet的散热也要特别讲究。主要要考虑上管(pwm管)。
六:mosfet选择最好要用Ciss小的,trtf比较短的,mosfet。这样mosfet发热少,HB6296发热也少。但是也不能太少,太少电感波形太陡,emcemi过不去,也干扰HB6296
七:为了emcemi的考虑,主电流回路要越短越好,交流回路也要越短越好,特别是lx这个net上,交流通路可以用4.7uf的瓷片电容放置相关的地方,比较有效的减少交流通路的长度。

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